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公开(公告)号：CN110629241B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910871221.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(>99.99％)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(>99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
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公开(公告)号：CN110029370A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910307958.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种由低值铜镍混合矿电沉积制备高值三元合金的方法，涉及矿物冶金技术领域，包括步骤：将低镍锍矿石破碎、研磨、过筛后烘干，与固体氯化剂均匀混合，在空气气氛下焙烧，得到低镍锍氯化焙烧产物；将低镍锍氯化焙烧产物过量的加入离子液体中，恒温混合搅拌，取上层的澄清溶液加入第三种金属盐，形成用于电沉积的电解液体系；采用三电极电解池体系，在用于电沉积的电解液体系中，以恒电势沉积的方法进行电沉积，得到高值三元合金产物；将高值三元合金产物从工作电极上取下，用去离子水多次冲洗，再用无水乙醇冲洗，最后低温烘干。本发明具有过程可控、成本低、能耗低等特点，且制备的三元合金材料具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN110699722B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201911064923.2
申请日：2019-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: C25D3/66
Abstract: 本发明公开了一种制备Ti5Si3高温合金膜的方法，属于冶金技术领域，其工艺步骤为：(1)采用无水氯化钙为熔盐电解质，二氧化硅以及二氧化钛为原料，氧化钙为助溶剂，形成电沉积系统；(2)以石墨片作为阴极，石墨棒作为阳极，在850℃恒电流/恒电压条件下电沉积制备Ti5Si3高温合金膜；(3)本发明可通过周期性加入二氧化硅以及二氧化钛原料，实现连续制备厚度可调的Ti5Si3高温合金膜。本发明可在较低温度(850℃)条件下，实现直接制备超高熔点高温合金致密膜/镀层，同时可通过改变电流密度、电沉积时间等参数来实现对薄膜厚度及微观形貌的控制。本发明方法具有流程短、能耗低等特点。
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公开(公告)号：CN110699722A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911064923.2
申请日：2019-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: C25D3/66
Abstract: 本发明公开了一种制备Ti5Si3高温合金膜的方法，属于冶金技术领域，其工艺步骤为：(1)采用无水氯化钙为熔盐电解质，二氧化硅以及二氧化钛为原料，氧化钙为助溶剂，形成电沉积系统；(2)以石墨片作为阴极，石墨棒作为阳极，在850℃恒电流/恒电压条件下电沉积制备Ti5Si3高温合金膜；(3)本发明可通过周期性加入二氧化硅以及二氧化钛原料，实现连续制备厚度可调的Ti5Si3高温合金膜。本发明可在较低温度(850℃)条件下，实现直接制备超高熔点高温合金致密膜/镀层，同时可通过改变电流密度、电沉积时间等参数来实现对薄膜厚度及微观形貌的控制。本发明方法具有流程短、能耗低等特点。
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公开(公告)号：CN110629241A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910871221.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 上海大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(>99.99％)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(>99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
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