公开(公告)号：CN114935793A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210610260.5

申请日：2022-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 庞拂飞 ,  卢晓 ,  魏伟 ,  徐星雨 ,  王廷云 ,  魏鹤鸣

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13

Abstract: 一种对光波导材料进行紫外光刻的方法及光波导制备方法，对光波导材料进行紫外光刻前先进行预曝光形成半固化的薄层，基于此的光波导制备方法包括：S1：在基板上制备下包层；S2：对下包层上制备芯层；S3：对芯层进行预曝光；S4：对预曝光后的芯层进行紫外光刻；S5：对光刻完成后的芯层进行显影，得到具有凸起结构的芯层；S6：在芯层上制备上包层。本发明解决了直接紫外光刻过程中的氧阻聚问题，无需在紫外光刻过程中提供氮气或其他惰性气体氛围，操作简单，制备效率高。

公开(公告)号：CN114935793B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202210610260.5

申请日：2022-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 庞拂飞 ,  卢晓 ,  魏伟 ,  徐星雨 ,  王廷云 ,  魏鹤鸣

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13

Abstract: 一种对光波导材料进行紫外光刻的方法及光波导制备方法，对光波导材料进行紫外光刻前先进行预曝光形成半固化的薄层，基于此的光波导制备方法包括：S1：在基板上制备下包层；S2：对下包层上制备芯层；S3：对芯层进行预曝光；S4：对预曝光后的芯层进行紫外光刻；S5：对光刻完成后的芯层进行显影，得到具有凸起结构的芯层；S6：在芯层上制备上包层。本发明解决了直接紫外光刻过程中的氧阻聚问题，无需在紫外光刻过程中提供氮气或其他惰性气体氛围，操作简单，制备效率高。