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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114911003A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210608246.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种基于包层紫外光刻的光波导制备方法，包括以下步骤：在基板上制备下包层；对所述下包层进行预曝光，即在氮气或其他惰性气体环境下对其进行大面积、低能量的紫外曝光；在常规空气环境下，对所述预曝光后的下包层进行紫外光刻；对光刻完成的下包层进行显影，获得光波导对应的凹槽；在显影后的下包层上制备芯层，在氮气或其他惰性气体环境下进行大面积曝光，紫外固化芯层；在固化的芯层上制备上包层，在氮气或其他惰性气体环境下进行大面积曝光，紫外固化上包层。本发明解决了直接紫外光刻过程中的氧阻聚问题，无需在紫外光刻过程中提供氮气或其他惰性气体氛围，降低了粗糙度，操作简单，制备效率高。
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公开(公告)号：CN114935793B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210610260.5
申请日：2022-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种对光波导材料进行紫外光刻的方法及光波导制备方法，对光波导材料进行紫外光刻前先进行预曝光形成半固化的薄层，基于此的光波导制备方法包括：S1：在基板上制备下包层；S2：对下包层上制备芯层；S3：对芯层进行预曝光；S4：对预曝光后的芯层进行紫外光刻；S5：对光刻完成后的芯层进行显影，得到具有凸起结构的芯层；S6：在芯层上制备上包层。本发明解决了直接紫外光刻过程中的氧阻聚问题，无需在紫外光刻过程中提供氮气或其他惰性气体氛围，操作简单，制备效率高。
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公开(公告)号：CN114911003B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210608246.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种基于包层紫外光刻的光波导制备方法，包括以下步骤：在基板上制备下包层；对所述下包层进行预曝光，即在氮气或其他惰性气体环境下对其进行大面积、低能量的紫外曝光；在常规空气环境下，对所述预曝光后的下包层进行紫外光刻；对光刻完成的下包层进行显影，获得光波导对应的凹槽；在显影后的下包层上制备芯层，在氮气或其他惰性气体环境下进行大面积曝光，紫外固化芯层；在固化的芯层上制备上包层，在氮气或其他惰性气体环境下进行大面积曝光，紫外固化上包层。本发明解决了直接紫外光刻过程中的氧阻聚问题，无需在紫外光刻过程中提供氮气或其他惰性气体氛围，降低了粗糙度，操作简单，制备效率高。
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公开(公告)号：CN115248478A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211078270.5
申请日：2022-09-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种在板上制备光波导的方法，包括以下步骤：在基板上利用光波导胶制备基底层；利用所述基底层制备凹槽；在所述凹槽表面旋涂下包层光波导胶制备下包层凹槽；在所述下包层凹槽表面制备芯层；在所述芯层的表面制备上包层，最终制备得到光波导。本发明的光波导不受各种光刻、显影等工艺所产生粗糙度的影响，且操作简单，制备效率高。
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公开(公告)号：CN114935793A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210610260.5
申请日：2022-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种对光波导材料进行紫外光刻的方法及光波导制备方法，对光波导材料进行紫外光刻前先进行预曝光形成半固化的薄层，基于此的光波导制备方法包括：S1：在基板上制备下包层；S2：对下包层上制备芯层；S3：对芯层进行预曝光；S4：对预曝光后的芯层进行紫外光刻；S5：对光刻完成后的芯层进行显影，得到具有凸起结构的芯层；S6：在芯层上制备上包层。本发明解决了直接紫外光刻过程中的氧阻聚问题，无需在紫外光刻过程中提供氮气或其他惰性气体氛围，操作简单，制备效率高。
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