公开(公告)号：CN119546019A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411426568.X

申请日：2024-10-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  殷录桥 ,  周浩杰

IPC: H10H29/10 ,  H10H29/01 ,  H10H20/813

Abstract: 本发明公开一种基于垂直堆叠的全彩Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及显示器件技术领域。所述微显示器件包括：由下至上依次设置的CMOS驱动基板和以垂直堆叠形式排布的三色外延层，所述CMOS驱动基板和所述三色外延层之间还设有P电极，所述三色外延层的顶端还设有共N电极。本发明能够通过垂直堆叠的结构设计，避免传统水平方向上三像素并排布局的局限。

公开(公告)号：CN117080319A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311048863.1

申请日：2023-08-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  嵇啸啸 ,  周浩杰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/52 ,  H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28

Abstract: 本发明公开了用于MICRO‑LED的晶圆级芯片制备及键合方法，包括：暴露出CMOS驱动基板上的像素区；图案化生长金属电极；沉积二氧化硅绝缘层；整圆Micro‑LED芯片与CMOS驱动基板键合；剥离Micro‑LED芯片衬底；制备出单个Micro‑LED像素；腐蚀侧壁刻蚀飞溅的ITO和金属；在单个Micro‑LED像素间沉积绝缘层制备共阴电极。本发明采用晶圆键合模式，键合时无需对准，弥补了die to die的对准精度问题，键合前在CMOS表面进行了金属化与钝化层保护，减小对像素和CMOS的化学损伤，相对于wafer to wafer，减小了键合接触面积，降低键合时的应力，提高键合良率。

公开(公告)号：CN116581228A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310602820.7

申请日：2023-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  嵇啸啸 ,  周浩杰

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明提供一种柔性Micro LED显示屏及其封装方法，包括基板，所述基板的内部安装有支撑座，所述支撑座内部安装有伸缩柱，所述伸缩柱的顶部连接有垫片，所述垫片的顶部连接在蓝光Micro LED芯片的底部；所述蓝光Micro LED芯片的顶部与像素单元对接，所述像素单元的表面与彩膜单元对接，所述彩膜单元的表面与保护层；本发明通过将封装膜与保护层进行对接时，先将光学胶涂覆在保护层的表面上，此时将封装膜底部的两组侧板与凹口一侧开口对齐，使底块和拨块与保护层底部的凹口对接，这样封装膜底部便会通过两侧的侧板限制在保护层两侧固定的位置上，此时将封装膜向下按压使其底部与光学胶对接，由此在使用时便可以通过该结构提升封装膜安装时的精度。