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公开(公告)号：CN114121633B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111399283.8
申请日：2021-11-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HK FOUP，沉积TiN；沉积氧化层，包裹TiN；晶背清洗转至HL FOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；转至HK FOUP，刻蚀去除非保护区的氧化层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积氧化层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的氧化层，形成氧化层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及氧化层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明利用二氧化铪的热稳定性改善超快闪存储器侧壁TiN薄膜的连续性，能提高器件性能和均一性。
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公开(公告)号：CN114121674A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111399600.6
申请日：2021-11-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HK FOUP，沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；晶背清洗转至HL FOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成遮蔽层保护保护区，露出非保护区；转至HK FOUP，刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的遮蔽层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能避免超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作过程中受到污染，提高器件性能和均一性。
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公开(公告)号：CN114695540A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210170153.5
申请日：2022-02-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/788
摘要： 本发明提供一种浮栅薄膜层高度的调整方法，提供衬底，衬底上形成有栅极层，之后形成覆盖栅极层的调整层；利用光刻和刻蚀打开调整层以形成凹槽；在衬底上形成覆盖调整层的第一薄膜层，之后形成覆盖第一薄膜层的第二掩膜层；刻蚀第二掩膜层以及其下方的第一薄膜层，使得第一薄膜层保留在第二掩膜层间的凹槽的表面。本发明通过调整调整层的厚度，从而达到超快闪存储器需要的浮栅氮化钛高度，应用于新型超快闪存储器中。
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公开(公告)号：CN114141618A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111252570.6
申请日：2021-10-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种浮栅制作方法，提供衬底，衬底上形成有多个浮栅；浮栅表面从下到上至少依次淀积形成有第一保护层、附属层和第二保护层，其中第一保护层和第二保护层能够防止附属层被氧化；以及通过后续工艺将浮栅上非待处理区域处的第二保护层和附属层去除，将待处理区域上的附属层局部或全部保留。本发明在TiN等附属层经历高温工艺时能够对TiN保护，附属层不容易颗粒化，保证了生产器件的均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116997184A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310934684.1
申请日：2023-07-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H10B41/41
摘要： 本发明提供一种调整超闪快存储器浮栅TiN高度的方法，在衬底上自下而上依次形成多晶硅层、第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；其中形成氮化硅层时，根据需要的浮栅TiN的高度调整所述氮化硅层的厚度；经光刻和刻蚀，刻蚀至露出衬底，形成凹槽以打开有源器件区；依次沉积TiN层和第三氧化层以覆盖凹槽表面；刻蚀去除第三氧化层以及凹槽外和凹槽底部的TiN层，保留凹槽侧壁的TiN层，形成浮栅TiN，浮栅TiN的高度由氮化硅层的厚度决定。本发明利用水平电场的写操作和尖端TiN无电压耦合的擦操作，极大提升擦写效率和降低操作电压。增大擦除栅对浮栅的嵌套窗口以及更好尖端控制，耐久性能更佳。调整前层氮化硅厚度，达到超快闪存储器需要的浮栅TiN高度。
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公开(公告)号：CN114121674B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111399600.6
申请日：2021-11-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HK FOUP，沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；晶背清洗转至HL FOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成遮蔽层保护保护区，露出非保护区；转至HK FOUP，刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的遮蔽层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能避免超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作过程中受到污染，提高器件性能和均一性。
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公开(公告)号：CN114121634A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111399653.8
申请日：2021-11-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能有效保留超快闪存储器sidewall浮栅TiN薄膜，提高器件性能和均一性。
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公开(公告)号：CN114121633A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111399283.8
申请日：2021-11-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HK FOUP，沉积TiN；沉积氧化层，包裹TiN；晶背清洗转至HL FOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；转至HK FOUP，刻蚀去除非保护区的氧化层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积氧化层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的氧化层，形成氧化层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及氧化层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明利用二氧化铪的热稳定性改善超快闪存储器侧壁TiN薄膜的连续性，能提高器件性能和均一性。
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