一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114874609A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210214570.5

    申请日:2022-03-07

    摘要: 本发明涉及一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法,一种高阻尼智能减振片材料,包括以下质量分数组分:聚丁二醇(PTMEG)30‑90,多元醇7.5‑30,异氰酸酯.0.5‑2.5,甲基丙烯酸丁酯(BMA)0‑60,甲基丙烯酸甲酯(MMA)0‑60,引发剂0‑1,匀泡剂20‑40,MAX相陶瓷0.05‑0.5,压电陶瓷10‑20。该制备方法包括以下步骤:将压电陶瓷与Mxenes自组装处理;将聚丁二醇、多元醇、异氰酸酯、BMA、MMA和引发剂混合制成聚氨酯IPN基体;再将聚氨酯IPN基体与压电陶瓷/Mxenes自组装混合物以及匀泡剂,经预聚合后共混发泡、模压、极化得到聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料。与现有技术相比,本发明聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料具有高阻尼的特点,拓展了装配式无砟轨道在具有减振需求的环境中添加减振垫的应用。

    一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114874609B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210214570.5

    申请日:2022-03-07

    摘要: 本发明涉及一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法,一种高阻尼智能减振片材料,包括以下质量分数组分:聚丁二醇(PTMEG)30‑90,多元醇7.5‑30,异氰酸酯.0.5‑2.5,甲基丙烯酸丁酯(BMA)0‑60,甲基丙烯酸甲酯(MMA)0‑60,引发剂0‑1,匀泡剂20‑40,MAX相陶瓷0.05‑0.5,压电陶瓷10‑20。该制备方法包括以下步骤:将压电陶瓷与Mxenes自组装处理;将聚丁二醇、多元醇、异氰酸酯、BMA、MMA和引发剂混合制成聚氨酯IPN基体;再将聚氨酯IPN基体与压电陶瓷/Mxenes自组装混合物以及匀泡剂,经预聚合后共混发泡、模压、极化得到聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料。与现有技术相比,本发明聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料具有高阻尼的特点,拓展了装配式无砟轨道在具有减振需求的环境中添加减振垫的应用。