公开(公告)号：CN119180115A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411232072.9

申请日：2024-09-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯凯 ,  李铸国 ,  魏旭东 ,  赵仁洁

IPC: G06F30/18 ,  G06F30/23 ,  G06T17/20

Abstract: 本发明公开了一种光机对准支架拓扑变密度晶格设计方法。该设计方法包括：构建光机对准支架的初始三维模型，并对模型进行最大化频率的拓扑优化，得到光机对准支架的拓扑优化后三维模型；针对光机对准支架的拓扑优化后三维模型，进行最大化频率晶格点阵结构设计，得出最大化频率晶格点阵结构；根据光机对准支架的应变能密度，为光机对准支架的拓扑优化后三维模型填充最大化频率晶格点阵结构。本发明的设计方法，其通过拓扑优化和晶格点阵填充设计，显著提升了光机对准支架的固有频率，使其达到2000Hz以上。高固有频率的光机对准支架有助于减少振动对光刻机精度的影响，从而提高芯片制造的精度。

公开(公告)号：CN118808672A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411085649.8

申请日：2024-08-08

Applicant: 上海交通大学 ,  上海微电子装备(集团)股份有限公司

Inventor： 冯凯 ,  赵仁洁 ,  李铸国

IPC: B22F10/85 ,  B22F10/20 ,  B22F12/49 ,  B33Y30/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y50/02

Abstract: 本发明提供了一种3D打印方法及设备、工件、计算机可读存储介质，3D打印方法包括：对工件的工艺模型进行分层切片；在工艺模型上确定截面突变部位；在截面突变部位的切片上划分出一个第二区域和至少一个第一区域，所有第一区域共同包围第二区域，第一区域远离第二区域的边缘位于工艺模型的表面上；第二区域包括柔性区，柔性区紧邻第一区域；控制能量源运行以逐层打印并形成工件；能量源在打印工件的除截面突变部位以外的其他部位和第一区域时基于第一扫描路径填充策略运行、在打印工件的柔性区时基于第二扫描路径填充策略运行；第一扫描路径填充策略的填充密度大于第二扫描路径填充策略的填充密度，打印截面突变部位的不同的切片时，第二扫描路径填充策略的填充密度沿成型方向增大。该方法的应用可以有效避免具有截面突变特征的产生收缩线。