公开(公告)号：CN1141734C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN00115352.8

申请日：2000-04-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 崔容强 ,  周之斌 ,  丁正明 ,  庞乾俊 ,  贺振宏

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/00

Abstract: 一种太阳能光伏材料碳薄膜的制作方法，属于半导体材料领域。碳膜沉积源用的靶材是99.999%石墨靶，物理溅射沉积薄膜。本发明具有显著的效果，采用本发明的工艺，SP3含量在30%～80%内调节。通过改变反应室溅射气压和衬底偏压，可改变SP2团族的尺寸大小，用原子力显微镜来观察团族的尺寸，改变SP2团族尺寸，增大尺寸可减小局域态能隙，而SP2团族尺寸减小，可提高其能隙，调节到适合光伏材料要求，SP2团族的尺寸在1nm～5nm范围内。

公开(公告)号：CN1267745A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00115352.8

申请日：2000-04-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 崔容强 ,  周之斌 ,  丁正明 ,  庞乾俊 ,  贺振宏

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  H01L21/203 ,  H01L31/00

Abstract: 本发明碳膜沉积源用的靶材是高纯(99.999%)石墨靶,物理溅射沉积薄膜,氩气作溅射气源,或可掺入氢气作氢化,溅射气压在0.05～10Pa范围内,溅射时可选气态掺杂源作为掺杂剂。