公开(公告)号：CN1383209A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02112060.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋建飞 ,  蔡琪玉 ,  黄萍 ,  沈波 ,  程子川

IPC: H01L27/04 ,  B82B1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/10

Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区,其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ,有源区与上层写线之间有SiO2绝缘层,源线和数据线位于有源区及SiO2绝缘层的两边,写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗,超高密度的特点,和纳米MOSFET结合,可实现1012bit的超高密度集成纳米存贮器,可以在室温下工作,工作稳定性好,能和CMOS超大规模集成电路兼容。

公开(公告)号：CN1167133C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN02112060.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋建飞 ,  蔡琪玉 ,  黄萍 ,  沈波 ,  程子川

IPC: H01L27/04 ,  B82B1/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/10

Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区，其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区与上层写线之间有SiO2绝缘层，源线和数据线位于有源区及SiO2绝缘层的两边，写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗，超高密度的特点，和纳米MOSFET结合，可实现1012bit的超高密度集成纳米存贮器，可以在室温下工作，工作稳定性好，能和CMOS超大规模集成电路兼容。

公开(公告)号：CN1383213A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02112059.5

申请日：2002-06-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋建飞 ,  蔡琪玉 ,  程子川 ,  黄萍 ,  沈波

IPC: H01L29/772 ,  B82B1/00

CPC classification number: B82Y10/00

Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子晶体管,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区,其厚度为3nm,宽度为1个电子局域长度ξ,长度为2～5个ξ,源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中,栅电极位于沟道区的一侧,与沟道区之间的气隙间距为d;在顶栅型结构中,栅电极位于沟道区的上面,与沟道区之间为栅氧化层,源、漏及栅电极之间用场氧化层隔开。本发明单个器件的尺寸可以小至10nm尺度以下,在超高集成度和微功耗等方面具有独特优势,能够在室温和低电压下工作,能和CMOS超大规模集成电路技术兼容。

公开(公告)号：CN1176499C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02112059.5

申请日：2002-06-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋建飞 ,  蔡琪玉 ,  程子川 ,  黄萍 ,  沈波

IPC: H01L29/772 ,  B82B1/00

CPC classification number: B82Y10/00

Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子晶体管，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区，其厚度为3 nm，宽度为1个电子局域长度ξ，长度为2～5个ξ，源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中，栅电极位于沟道区的一侧，与沟道区之间的间距d＝10nm；在顶栅型结构中，栅电极位于沟道区的上面，与沟道区之间为栅氧化层，源、漏及栅电极之间用场氧化层隔开。本发明单个器件的尺寸可以小至10nm尺度以下，在超高集成度和微功耗等方面具有独特优势，能够在室温和低电压下工作，能和CMOS超大规模集成电路技术兼容。

公开(公告)号：CN1096548A

公开(公告)日：1994-12-21

申请号：CN93112459.X

申请日：1993-06-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张志明 ,  李胜华 ,  蔡琪玉 ,  闵乃本

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/56

Abstract: 金刚石单晶薄膜的制造方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体，用微波等离子体CVD或热丝CVD在 取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中，采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体，同时对衬底进行研磨处理的工艺，结果能得到平整光滑的，结晶完整性好的 取向同质外延金刚石单晶薄膜。

公开(公告)号：CN2545598Y

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02218157.1

申请日：2002-06-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋建飞 ,  蔡琪玉 ,  沈波 ,  黄萍

IPC: G01N13/12 ,  G12B21/04

Abstract: 一种扫描隧道显微镜用钨针尖直流制备控制电路，将钨针尖阳极腐蚀电路等效为一个可变电阻，等效可变电阻的一端连接阳极腐蚀电路中作为阳极的钨丝，另一端连接作为阴极的环形铜电极，钨丝和环形铜电极置于带有NaOH溶液的培养皿中，控制电路采用高增益集成运算放大器构成电压比较器。在W针尖制备过程中，当钨丝融断的瞬间，断点处的电阻变化导致电压比较器的输入电压发生变化，进而控制NMOS晶体管工作，以切断电流通路，完成W针尖制备。本实用新型结构简单，工作稳定，操作方便，能在钨丝融断后迅速切断电流通路，保证W针尖的曲率半径足够小。