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公开(公告)号：CN1383209A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02112060.9
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区,其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ,有源区与上层写线之间有SiO2绝缘层,源线和数据线位于有源区及SiO2绝缘层的两边,写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗,超高密度的特点,和纳米MOSFET结合,可实现1012bit的超高密度集成纳米存贮器,可以在室温下工作,工作稳定性好,能和CMOS超大规模集成电路兼容。
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公开(公告)号：CN1176499C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02112059.5
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/772 , B82B1/00
CPC classification number: B82Y10/00
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子晶体管，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区，其厚度为3 nm，宽度为1个电子局域长度ξ，长度为2～5个ξ，源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中，栅电极位于沟道区的一侧，与沟道区之间的间距d＝10nm；在顶栅型结构中，栅电极位于沟道区的上面，与沟道区之间为栅氧化层，源、漏及栅电极之间用场氧化层隔开。本发明单个器件的尺寸可以小至10nm尺度以下，在超高集成度和微功耗等方面具有独特优势，能够在室温和低电压下工作，能和CMOS超大规模集成电路技术兼容。
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公开(公告)号：CN1167133C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02112060.9
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区，其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区与上层写线之间有SiO2绝缘层，源线和数据线位于有源区及SiO2绝缘层的两边，写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗，超高密度的特点，和纳米MOSFET结合，可实现1012bit的超高密度集成纳米存贮器，可以在室温下工作，工作稳定性好，能和CMOS超大规模集成电路兼容。
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公开(公告)号：CN1383213A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02112059.5
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/772 , B82B1/00
CPC classification number: B82Y10/00
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子晶体管,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区,其厚度为3nm,宽度为1个电子局域长度ξ,长度为2～5个ξ,源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中,栅电极位于沟道区的一侧,与沟道区之间的气隙间距为d;在顶栅型结构中,栅电极位于沟道区的上面,与沟道区之间为栅氧化层,源、漏及栅电极之间用场氧化层隔开。本发明单个器件的尺寸可以小至10nm尺度以下,在超高集成度和微功耗等方面具有独特优势,能够在室温和低电压下工作,能和CMOS超大规模集成电路技术兼容。
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