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公开(公告)号：CN101372757A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810200932.5
申请日：2008-10-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D9/02
Abstract: 本发明公开了一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法。首先通过加入质子酸使铜酞菁发生质子化反应，然后加入有机溶液配成电解液，再用电沉积方法制备一种纳米铜酞菁薄膜。制备的一种纳米铜酞菁薄膜具有α相晶体结构，可通过调节铜酞菁溶液浓度、铜酞菁溶液温度、电压和电沉积时间来控制薄膜的形态和尺寸，所需的电压小(0.5～3V)，时间短(5～60分钟)，容易操作，成膜均匀，成本低，利于工业化生产。本发明可用于电导、传感、发光二极管、场效应晶体管和光电转化等领域。
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