公开(公告)号：CN102534621B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210039680.9

申请日：2012-02-21

Applicant: 上海正帆科技有限公司 ,  上海正帆半导体设备有限公司 ,  上海交通大学

Inventor： 顾顺超 ,  管世兵 ,  严俊

IPC: C23F1/46

Abstract: 本发明涉及一种酸性蚀刻液的处理方法，包括：(1)用酸性混合溶液对硅片进行蚀刻处理，将蚀刻处理后的混合溶液稀释，对混合溶液中的氢氟酸和/或醋酸通过非水中和滴定法进行定量分析，对混合溶液中的硝酸通过硝酸根电极进行定量分析，得到蚀刻后混合溶液的组成浓度增减量；(2)根据上述增减量，在蚀刻过程中或在循环液中添加浓度减少的酸，重新作为硅片的处理液即可。本发明通过蚀刻过程中排出的混合废酸液的有效利用，经济效益显著的同时，大大降低含有强酸成分的混合酸废液的排放，在环境问题上也具有巨大的效益。

公开(公告)号：CN102534621A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210039680.9

申请日：2012-02-21

Applicant: 上海正帆科技有限公司 ,  上海正帆半导体设备有限公司 ,  上海交通大学

Inventor： 顾顺超 ,  管世兵 ,  严俊

IPC: C23F1/46

Abstract: 本发明涉及一种酸性蚀刻液的处理方法，包括：(1)用酸性混合溶液对硅片进行蚀刻处理，将蚀刻处理后的混合溶液稀释，对混合溶液中的氢氟酸和/或醋酸通过非水中和滴定法进行定量分析，对混合溶液中的硝酸通过硝酸根电极进行定量分析，得到蚀刻后混合溶液的组成浓度增减量；(2)根据上述增减量，在蚀刻过程中或在循环液中添加浓度减少的酸，重新作为硅片的处理液即可。本发明通过蚀刻过程中排出的混合废酸液的有效利用，经济效益显著的同时，大大降低含有强酸成分的混合酸废液的排放，在环境问题上也具有巨大的效益。

公开(公告)号：CN101890365B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010245426.5

申请日：2010-08-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋淇忠 ,  甘涛 ,  张慧娟 ,  管世兵 ,  马紫峰

IPC: B01J31/22 ,  H01M4/90

Abstract: 一种燃料电池技术领域的非贵金属为氧还原催化剂及其制备方法。催化剂由在碳纳米管载体上配位的过渡金属盐和有机物构成，其中：过渡金属和有机物的配比为10∶1-1∶10。制备方法，包括：称取多壁碳纳米管预处理；将经过预处理的多壁碳纳米管放入反应器中，加热，然后抽真空降温；向反应器中缓慢加入有机溶剂，然后滴加有机物，搅拌；再加入过渡金属盐溶液；将其加入反应器中并搅拌。将所得溶液在旋转蒸发仪中蒸干溶剂，并磨细成粉末；将粉末在惰性气体的保护下在热处理，即得到氧还原催化剂。本发明大大提高了所获得的多壁碳纳米管载过渡金属螯合物催化剂活性位的分散性，明显提高了氧还原性能。

公开(公告)号：CN102586780A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210039679.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 上海正帆科技有限公司 ,  上海正帆半导体设备有限公司 ,  上海交通大学

Inventor： 顾顺超 ,  管世兵 ,  严俊

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用，组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。制备方法包括：以氟化氢气体或氟化氢酸，70～98wt％的硝酸水溶液和硅或二氧化硅为原料，按上述配比混合，得酸性蚀刻液。酸性蚀刻液用于蚀刻硅晶片、GaAs晶片、GaP晶片或InP晶片的蚀刻。本发明与传统的蚀刻液不同，不需要对环境造成较大负担的醋酸、磷酸等，不会产生异味，也可减小废弃物的负荷。

公开(公告)号：CN102586780B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210039679.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 上海正帆科技有限公司 ,  上海正帆半导体设备有限公司 ,  上海交通大学

Inventor： 顾顺超 ,  管世兵 ,  严俊

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用，组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。制备方法包括：以氟化氢气体或氟化氢酸，70～98wt％的硝酸水溶液和硅或二氧化硅为原料，按上述配比混合，得酸性蚀刻液。酸性蚀刻液用于蚀刻硅晶片、GaAs晶片、GaP晶片或InP晶片的蚀刻。本发明与传统的蚀刻液不同，不需要对环境造成较大负担的醋酸、磷酸等，不会产生异味，也可减小废弃物的负荷。

公开(公告)号：CN101890365A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010245426.5

申请日：2010-08-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 蒋淇忠 ,  甘涛 ,  张慧娟 ,  管世兵 ,  马紫峰

IPC: B01J31/22 ,  H01M4/90

Abstract: 一种燃料电池技术领域的非贵金属为氧还原催化剂及其制备方法。催化剂由在碳纳米管载体上配位的过渡金属盐和有机物构成，其中：过渡金属和有机物的配比为10∶1-1∶10。制备方法，包括：称取多壁碳纳米管预处理；将经过预处理的多壁碳纳米管放入反应器中，加热，然后抽真空降温；向反应器中缓慢加入有机溶剂，然后滴加有机物，搅拌；再加入过渡金属盐溶液；将其加入反应器中并搅拌。将所得溶液在旋转蒸发仪中蒸干溶剂，并磨细成粉末；将粉末在惰性气体的保护下在热处理，即得到氧还原催化剂。本发明大大提高了所获得的多壁碳纳米管载过渡金属螯合物催化剂活性位的分散性，明显提高了氧还原性能。