光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法

    公开(公告)号:CN115494585A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210961078.4

    申请日:2022-08-11

    Inventor: 桑锐 孙启尧 孙璐

    Abstract: 一种光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法,通过在SOI晶圆上采用电子束光刻和电感耦合等离子体蚀刻制备出一个直波导耦合器和一个与之平行的基于拓扑结构的一维光子晶体纳米束微腔,再通过等离子体增强化学气相沉积,在该结构的暴露顶面上沉积一层二氧化硅,然后通过向直波导耦合器的一端注入光信号,在另一端得到透射光,实现光学滤波。本发明将光学拓扑结构应用到无源滤波器中,不仅实现了滤波器的高Q值、高消光比(高透射率)、低模式体积等特性,还大大减小了器件尺寸,增强了器件的鲁棒性。

    光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法

    公开(公告)号:CN115494585B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202210961078.4

    申请日:2022-08-11

    Inventor: 桑锐 孙启尧 孙璐

    Abstract: 一种光子晶体纳米束微腔的硅基无源光学滤波方法,通过在SOI晶圆上采用电子束光刻和电感耦合等离子体蚀刻制备出一个直波导耦合器和一个与之平行的基于拓扑结构的一维光子晶体纳米束微腔,再通过等离子体增强化学气相沉积,在该结构的暴露顶面上沉积一层二氧化硅,然后通过向直波导耦合器的一端注入光信号,在另一端得到透射光,实现光学滤波。本发明将光学拓扑结构应用到无源滤波器中,不仅实现了滤波器的高Q值、高消光比(高透射率)、低模式体积等特性,还大大减小了器件尺寸,增强了器件的鲁棒性。

Patent Agency Ranking