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公开(公告)号：CN100342556C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法—即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1697202A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法－即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1141833C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN00127461.9
申请日：2000-11-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 用于扁平后盖显像管的共面扁平偏转系统主要包括一个铁氧体磁芯、一对帧偏转线圈和一对行偏转线圈，在铁氧体磁芯的小口处特地增加了一组磁极靴，它与铁氧体磁芯形成一个整体，一对帧偏转线圈以环形方式绕制在铁氧体磁芯上，而另一对行偏转线圈制作腰子形线圈嵌入在铁氧体磁芯的内凹面，整个偏转系统呈扁平状，固定在扁平后盖结构显像管的小锥和后盖处。
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公开(公告)号：CN1116692C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN00127462.7
申请日：2000-11-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01J29/76
Abstract: 一种超大偏转扁平显像管偏转线圈属于电视技术的显像管领域。主要包括铁氧体磁芯、帧偏转线圈、行偏转线圈，其特征在于在一块平板的圆环形或长方形铁氧体磁芯上，以相互垂直方式分别安置一对平面长方形帧偏转线圈及一对平面长方形行偏转线圈，以组成基本的平面偏转线圈的模式，铁氧体磁芯的中心孔直径大小尺寸由电子枪直径决定。本发明突破了传统技术的特性，可以实现传统喇叭型立体偏转线圈难以达到的性能，即：光点明显小于传统偏转线圈，可以作为高清晰度电视的显示器，实现显像管的扁平化，利用现有企业的生产设备及条件，将大幅度降低新管开发的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1291043A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00127461.9
申请日：2000-11-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 用于扁平后盖显像管的共面扁平偏转系统主要包括一个铁氧体磁芯、一对帧扫描线圈和一对行扫描线圈,在铁氧体磁芯的小口处特地增加了一组磁极靴,它与铁氧体磁芯形成一个整体,一对帧扫描线圈以环形方式绕制在铁氧体磁芯上,而另一对行扫描线圈制作腰子形线圈嵌入在铁氧体磁芯的内凹面,整个偏转系统呈扁平状,固定在扁平后盖结构显像管的小锥和后盖处。
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