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公开(公告)号:CN116718620A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310780012.X
申请日:2023-06-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N23/20008
Abstract: 本发明公开了一种超薄钯/镁基薄膜透射电镜样品及其制备方法,所述方法为先在超薄钯/镁基薄膜表面沉积一个碳氟高分子保护膜层,随后对于复合膜层利用聚焦离子束(FIB)完成透射电镜试样的加工过程。本方法利用氟碳高分子保护膜层对于金属膜层之间扩散的抑制作用,可减小聚焦离子束加工过程所需的Pt膜向待加工钯/镁基薄膜试样中的扩散,避免试样结构遭到破坏。该方法操作简便,且能显著消除Pt层对于待加工样品结构分析的干扰,在薄膜的透射显微分析领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号:CN117187745A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311100414.7
申请日:2023-08-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AAO模板提升氢致变色薄膜氢响应性能的方法,所述薄膜包括在基底上依次设置的AAO模板层、氢敏反应层、催化层和保护层。其制备方法为先向基底上转移AAO模板,随后在模板上溅射制备氢敏反应层,接着在氢敏反应层上原位生长催化层,最后在催化层上沉积保护层。本发明利用AAO模板透明的特点,通过AAO模板扩大氢致变色薄膜的比表面积,方便快捷地实现了氢致变色薄膜吸脱氢速率的提高。本方法工艺简单,可重复性强,性能提升明显,在氢气传感领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号:CN116926488A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310913322.4
申请日:2023-07-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种提升氢致变色镁基薄膜氢响应性能的制备方法,包括在采用磁控溅射制备镁基氢敏反应层过程中,调整磁控溅射工艺中的氩气流量为20sccm~100sccm的步骤。本发明利用磁控溅射过程中氩气流量的调控,可以影响溅射原子碰撞频率和平均自由程,从而改变薄膜生长条件,改变薄膜的显微结构,方便快捷地提高了氢致变色薄膜的吸脱氢速率。本方法工艺简单,可重复性强,性能提升显著,在氢气传感领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号:CN117187806A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202310910200.X
申请日:2023-07-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C14/18 , C23C14/20 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N21/78
Abstract: 本发明公开了一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法,所述方法包括以下步骤:采用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁‑X元素复合膜层,然后采用磁控溅射法制备钯催化层,最后采用等离子体气相沉积法制备氟碳膜;所述镁‑X元素复合膜层为通过在镁基中添加X元素所形成的复合膜层。本发明中Pd具有催化效应,在吸氢和脱氢阶段,可促进氢气与氢原子之间的可逆转换,而添加复合X元素与镁形成的化合物相可抑制Pd层和镁层之间的互扩散,有利于保持Pd的催化作用,进而提高复合膜层的吸放氢循环耐久性。此方法制备的调光薄膜循环性能好,工艺简单,在氢气传感领域具有重要的应用前景。
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