超薄钯/镁基薄膜透射电镜样品及其制备方法

    公开(公告)号:CN116718620A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310780012.X

    申请日:2023-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种超薄钯/镁基薄膜透射电镜样品及其制备方法,所述方法为先在超薄钯/镁基薄膜表面沉积一个碳氟高分子保护膜层,随后对于复合膜层利用聚焦离子束(FIB)完成透射电镜试样的加工过程。本方法利用氟碳高分子保护膜层对于金属膜层之间扩散的抑制作用,可减小聚焦离子束加工过程所需的Pt膜向待加工钯/镁基薄膜试样中的扩散,避免试样结构遭到破坏。该方法操作简便,且能显著消除Pt层对于待加工样品结构分析的干扰,在薄膜的透射显微分析领域具有重要的应用前景。

    一种基于AAO模板提升氢致变色薄膜氢响应性能的方法

    公开(公告)号:CN117187745A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311100414.7

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于AAO模板提升氢致变色薄膜氢响应性能的方法,所述薄膜包括在基底上依次设置的AAO模板层、氢敏反应层、催化层和保护层。其制备方法为先向基底上转移AAO模板,随后在模板上溅射制备氢敏反应层,接着在氢敏反应层上原位生长催化层,最后在催化层上沉积保护层。本发明利用AAO模板透明的特点,通过AAO模板扩大氢致变色薄膜的比表面积,方便快捷地实现了氢致变色薄膜吸脱氢速率的提高。本方法工艺简单,可重复性强,性能提升明显,在氢气传感领域具有重要的应用前景。

    一种提升氢致变色薄膜氢响应性能的制备方法

    公开(公告)号:CN116926488A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310913322.4

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种提升氢致变色镁基薄膜氢响应性能的制备方法,包括在采用磁控溅射制备镁基氢敏反应层过程中,调整磁控溅射工艺中的氩气流量为20sccm~100sccm的步骤。本发明利用磁控溅射过程中氩气流量的调控,可以影响溅射原子碰撞频率和平均自由程,从而改变薄膜生长条件,改变薄膜的显微结构,方便快捷地提高了氢致变色薄膜的吸脱氢速率。本方法工艺简单,可重复性强,性能提升显著,在氢气传感领域具有重要应用前景。

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