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公开(公告)号:CN110273152A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910670561.5
申请日:2019-07-24
Abstract: 本发明公开了一种压射冲头及压射冲头激光熔覆,包括基座,所述基座内活动设置有驱动底座组件,所述驱动底座组件顶部设有驱动夹持组件,所述驱动夹持组件一侧设有打磨组件,所述打磨组件固定安装在基座一侧,此压射冲头及压射冲头激光熔覆,通过激光熔覆技术处理后的压射冲头,在有效提高其表面硬度的同时,能够极大的提高模具的热疲劳性能,以进而有效提高压射冲头的使用寿命,同时,在压射冲头进行激光熔覆前打磨时,能够提高单次压射冲头打磨量,且将打磨与擦拭集成在一起,打磨后自动对其表面进行擦拭处理,以去除油污和金属粉尘等杂物,提高压射冲头表面处理效率,进而有效提高企业的生产加工效率。
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公开(公告)号:CN110629219B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN201910978206.4
申请日:2019-10-15
Abstract: 本发明公开了一种压射冲头激光熔覆工艺,通过表面清理和激光熔覆两个步骤工艺实现,其中,激光熔覆工艺的激光功率400~600W,扫描速度5~10mm/s,离焦量3~10mm,钴基涂层为Co‑Cr‑W合金,涂层厚度为500~1000μm,硬度600~700Hv,此压射冲头激光熔覆工艺,在压射冲头进行激光熔覆前打磨时,能够提高单次压射冲头打磨量,且将打磨与擦拭集成在一起,打磨后自动对其表面进行擦拭处理,以去除油污和金属粉尘等杂物,提高压射冲头表面处理效率,进而有效提高企业的生产加工效率。
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公开(公告)号:CN110629219A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910978206.4
申请日:2019-10-15
Abstract: 本发明公开了一种压射冲头激光熔覆工艺,通过表面清理和激光熔覆两个步骤工艺实现,其中,激光熔覆工艺的激光功率400~600W,扫描速度5~10mm/s,离焦量3~10mm,钴基涂层为Co-Cr-W合金,涂层厚度为500~1000μm,硬度600~700Hv,此压射冲头激光熔覆工艺,在压射冲头进行激光熔覆前打磨时,能够提高单次压射冲头打磨量,且将打磨与擦拭集成在一起,打磨后自动对其表面进行擦拭处理,以去除油污和金属粉尘等杂物,提高压射冲头表面处理效率,进而有效提高企业的生产加工效率。
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公开(公告)号:CN117327765A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202210716712.8
申请日:2022-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: C12Q1/6806 , C12Q1/6816 , C12N15/115 , C12N15/11 , C12Q1/02
Abstract: 本发明提供了一种框架核酸及其在核酸适配体筛选中的应用,具体包括基于碱基的互补配对杂交而形成的核酸结构作为支架去辅助核酸适配体的筛选;本发明利用框架结构的稳定性和刚性的特点,合理排布多个随机适配体序列的空间位置,可以最大化发挥多价的结合优势,与传统建立多价适配体体系的方法相比,本发明的筛选方法更为简单实用,没有涉及针对已有的适配体进行复杂的多价体系设计,而是从源头上进行核酸适配体的筛选,减少了获取核酸适配体的难度,筛选过程与传统单价适配体筛选并无差别,针对未有明确结构信息和对应单价适配体的靶标将会是获取多价适配体最佳的选择,这大大提高了核酸适配体应用的靶标范围。
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