聚二硅氧烷的制备方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1218985C

    公开(公告)日:2005-09-14

    申请号:CN03129694.7

    申请日:2003-07-03

    Abstract: 本发明披露了聚二硅氧烷的合成方法,它以烃基含氢二氯硅烷;二烃基二氯硅烷或一烃基含氢二氯硅烷与二烃基二氯硅烷混合单体,与碱金属在超声波作用条件下,进行分散、Wurtz法还原偶联反应、之后直接水解反应、并经进一步分离得到聚二硅氧烷。实验表明由此合成方法得到的产物结构规整。由于该发明进一步降低了Wurtz法还原偶联反应温度,提高了产物收率,具有反应条件温和,提高了合成反应的可控操作性,可极大地促进功能性聚二硅氧烷的工业化生产,同时推动这种新型聚合物在弹性体材料、陶瓷前驱体、光致刻蚀剂、半导体材料、非线性光学材料、光折变材料及空穴传输材料等功能材料的研究和应用。

    二胺基二硅烷化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1250556C

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN200410017175.X

    申请日:2004-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种二胺基二硅烷化合物,其化学结构式如下,它的制备方法是通过烃基含氢二氯硅烷或二烃基二氯硅烷单体与碱金属进行还原偶联反应,之后直接与仲胺进行胺解反应,经分离副产物等步骤制备得到。二胺基二硅烷化合物含有化学活性较高的Si-H键,可进一步进行硅氢加成等化学反应,其硅取代侧基可进行功能化改性;因而可作为合成化学材料中的二硅烷基化试剂,广泛应用于现代有机合成、化学材料改性等,从而进一步赋予材料的耐热稳定性、光学、电子学方面的特殊性能。二胺基二硅烷化合物化学结构如下式:R1、R2代表相同的乙基或异丙基;R3与R5分别为H,R4与R6分别为甲基、乙基、苯基。

    1,4-二氮杂四硅环己烷化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1240704C

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:CN200410017176.4

    申请日:2004-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种1,4-二氮杂四硅环己烷化合物,其化合物结构如下,它的制备方法是通过烃基含氢二氯硅烷或二烃基二氯硅烷单体与碱金属进行还原偶联反应,之后直接进行胺解反应,以及产物的分离等步骤。它可作为合成化学材料中的二硅烷基化试剂、阳离子开环聚合制备聚二硅氮烷聚合物,广泛应用于现代有机合成、化学材料改性等。式中R1、R2分别为H、甲基、乙基、苯基,但是R1、R2不可同时为H;R3代表相同的乙基、丙基、异丙基、苯基。

    1,4-二氮杂四硅环己烷化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1563016A

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN200410017176.4

    申请日:2004-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种1,4-二氮杂四硅环己烷化合物,其化合物结构如下,它的制备方法是通过烃基含氢二氯硅烷或二烃基二氯硅烷单体与碱金属进行还原偶联反应,之后直接进行胺解反应,以及产物的分离等步骤。它可作为合成化学材料中的二硅烷基化试剂、阳离子开环聚合制备聚二硅氮烷聚合物,广泛应用于现代有机合成、化学材料改性等。式中R1、R2分别为H、甲基、乙基、苯基,但是R1、R2不可同时为H;R3代表相同的乙基、丙基、异丙基、苯基。

    二胺基二硅烷化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1562920A

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN200410017175.X

    申请日:2004-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种二胺基二硅烷化合物,其化学结构式如下,它的制备方法是通过烃基含氢二氯硅烷或二烃基二氯硅烷单体与碱金属进行还原偶联反应,之后直接与仲胺进行胺解反应,经分离副产物等步骤制备得到。二胺基二硅烷化合物含有化学活性较高的Si-H键,可进一步进行硅氢加成等化学反应,其硅取代侧基可进行功能化改性;因而可作为合成化学材料中的二硅烷基化试剂,广泛应用于现代有机合成、化学材料改性等,从而进一步赋予材料的耐热稳定性、光学、电子学方面的特殊性能。二胺基二硅烷化合物化学结构如下式:R1、R2代表相同的乙基或异丙基;R3与R5分别为H,R4与R6分别为甲基、乙基、苯基。

    包含硅氢键的聚二硅氧烷及其制备方法

    公开(公告)号:CN1478805A

    公开(公告)日:2004-03-03

    申请号:CN03129695.5

    申请日:2003-07-03

    Abstract: 本发明披露了一种包含硅氢键的聚二硅氧烷,它是主链含有硅硅氧重复链节、侧链含有硅氢键和硅烃基团的有机硅聚合物。它的制备方法是通过烃基含氢二氯硅烷或烃基含氢二氯硅烷与二烃基二氯硅烷混合单体与碱金属进行Wurtz法还原偶联反应,之后直接水解、缩合反应;或醇解反应之后再进行水解、缩合反应以及产物的分离等步骤。该聚合物具有良好的可加工性、热稳定性和光稳定性,并随后可被交联或进一步反应。该聚合物在弹性体材料、陶瓷前驱体、光致刻蚀剂、半导体材料、非线性光学材料、光折变材料及空穴传输材料等领域有着十分广泛的应用前景。

    聚二硅氧烷的制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1478804A

    公开(公告)日:2004-03-03

    申请号:CN03129694.7

    申请日:2003-07-03

    Abstract: 本发明披露了聚二硅氧烷的合成方法,它以烃基含氢二氯硅烷;二烃基二氯硅烷或一烃基含氢二氯硅烷与二烃基二氯硅烷混合单体,与碱金属在超声波作用条件下,进行分散、Wurtz法还原偶联反应、之后直接水解反应、并经进一步分离得到聚二硅氧烷。实验表明由此合成方法得到的产物结构规整。由于该发明进一步降低了Wurtz法还原偶联反应温度,提高了产物收率,具有反应条件温和,提高了合成反应的可控操作性,可极大地促进功能性聚二硅氧烷的工业化生产,同时推动这种新型聚合物在弹性体材料、陶瓷前驱体、光致刻蚀剂、半导体材料、非线性光学材料、光折变材料及空穴传输材料等功能材料的研究和应用。

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