公开(公告)号：CN119717317A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510004600.3

申请日：2025-01-02

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 邹卫文 ,  熊妮娜 ,  严正安

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02F1/01

Abstract: 一种铌酸锂异质增益型调制器及其集成方法，通过晶片到晶圆的键合技术，实现了掺铒铌酸锂与其他材料(如氮化硅或硅)的异质集成，包括硅衬底层、氧化硅隔离层、波导层、氧化硅缓冲层、掺铒铌酸锂层、氧化硅包层和金属电极层，在非晶圆键合区，光信号仅在波导层中传输；在晶圆键合区域，通过引入掺铒铌酸锂层，能够实现对光信号的放大；还包括多模干涉仪、层间耦合器、电光移相臂和行波电极等结构，实现了光的分束、耦合、电光调制和合束。集成方法包括选取衬底晶圆和键合晶片、对波导层进行图案化、沉积、键合掺铒铌酸锂晶片等步骤。本发明结合了不同材料的优势，并引入了掺铒铌酸锂的增益特性，为电光调制器带来了全新的性能提升。

公开(公告)号：CN119986910A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510263306.4

申请日：2025-03-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 邹卫文 ,  苏诗童 ,  熊妮娜 ,  王静 ,  严正安

IPC: G02B6/26 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12

Abstract: 一种异质集成波导放大器及集成方法，所述波导放大器包括端面耦合器、硅‑掺铒铌酸锂异质波导、低损耗绝热锥形耦合器和欧拉弯曲波导。所述的硅基波导组成端面耦合器和欧拉弯曲波导；所述的硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成放大波导和低损耗绝热锥形耦合器。所述集成方法包括：通过刻蚀硅晶圆，形成硅基波导；通过键合掺铒铌酸锂晶片，形成硅‑掺铒铌酸锂异质波导。本发明通过掺铒铌酸锂作为增益介质实现片上C波段信号光放大；通过硅‑掺铒铌酸锂异质波导形成波导放大器，避免刻蚀铌酸锂，从而与CMOS工艺兼容；通过掺铒铌酸锂晶片到硅晶圆的键合工艺，实现有源材料与无源材料间灵活的异质集成。本发明通过灵活放大片上信号光，为未来实现大规模集成具有重要意义。