公开(公告)号：CN102642094B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210026270.0

申请日：2012-02-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林芳昌 ,  马渡芙弓 ,  松浦大志 ,  山崎和彦

IPC: B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  B23K1/00 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法。该接合用浆料含有(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子、(B)沸点为50～100℃的溶剂和(C)沸点为150～200℃的溶剂，相对于所述(B)组分和所述(C)组分的总计100质量份，所述(B)组分的含量为10～30质量份。该半导体元件与基板的接合方法具有：在基板上涂布所述接合用浆料，使所述接合用浆料干燥的工序；和在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。

公开(公告)号：CN102642094A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210026270.0

申请日：2012-02-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林芳昌 ,  马渡芙弓 ,  松浦大志 ,  山崎和彦

IPC: B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  B23K1/00 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法。该接合用浆料含有(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子、(B)沸点为50～100℃的溶剂和(C)沸点为150～200℃的溶剂，相对于所述(B)组分和所述(C)组分的总计100质量份，所述(B)组分的含量为10～30质量份。该半导体元件与基板的接合方法具有：在基板上涂布所述接合用浆料，使所述接合用浆料干燥的工序；和在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。