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公开(公告)号：CN112994673B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011430081.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置。检测电路(110)具有在由驱动电路(150)进行通断的开关元件(10a)的正电极以及负电极之间经由第1节点(N1)而串联连接的电流源(120)以及电阻元件(121)。电压比较器(130)输出表示被输入进来的直流电压(Vt)与第1节点(N1)的电压之间的比较结果的检测信号(Sab)。直流电压(Vt)以及电阻元件(121)的电阻值(R1)被设定为，在正电极以及负电极之间的电极间电压比预先确定的判定电压高时，第1节点的电压比直流电压(Vt)高。检测电路(110)以及电压比较器(130)搭载于构成半导体装置(100A)的相同的集成电路之上。
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公开(公告)号：CN107548202B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201710508382.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H05B33/08
Abstract: 对应于电压而对在由电流驱动的负载中流过的电流线性地进行控制。本发明所涉及的电压电流变换电路(VC1)具有：差动放大电路(OP2)、第1电流反射镜电路(CM1)、电压设定部(VS1)。差动放大电路(OP2)从输入端子(Pin)接收输入电压(Vout)，输出与输入电压(Vout)和阈值电压之差相对应的电压。第1电流反射镜电路(CM1)接收来自差动放大电路(OP2)的电压，将输出电流(Iout1)输出至输出端子(Pout)。电压设定部(VS1)对阈值电压进行设定。
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公开(公告)号：CN114584123A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111414496.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567 , H03K17/041
Abstract: 目的在于提供能够适当地驱动IGBT的技术。驱动电路通过对IGBT的栅极电压进行控制而对IGBT进行驱动，具有第1充电能力和第2充电能力。第1充电能力是使栅极电压上升至IGBT的阈值电压的能力，第2充电能力是使栅极电压超过阈值电压而上升的能力。由第1充电能力实现的栅极电压的每单位时间的上升比由第2充电能力实现的栅极电压的每单位时间的上升大。
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公开(公告)号：CN114583922A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111426583.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/082
Abstract: 本发明涉及半导体装置。如果在半导体开关元件(10a)的接通期间设置高耐压开关(120)的接通期间，则检测电路(110)将由多个电阻元件(R1、R2)对端子间电压(Vce)进行分压得到的电压输出至规定的节点(N1)。电压比较电路基于规定的节点(N1)的电压与规定的直流电压(Vt)之间的比较而输出表示端子间电压是否比预先确定的判定电压大的检测信号。高耐压开关(120)具有在断开期间将高电位(VDD)以及低电位(GND)的电位差切断的耐压。
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公开(公告)号：CN104937839A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380071275.8
申请日：2013-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H02H3/08 , H03F1/52 , H03F3/217 , H03K17/0822
Abstract: 提供在发生短路时能够快速地进行半导体元件保护的半导体元件的驱动装置以及半导体装置。半导体元件的驱动装置具有驱动电路部、充电电路部及切断电路部。充电电路部与具有二极管以及电容元件的外部电路电连接。半导体元件具有第1电极、第2电极以及控制端子。驱动电路部根据输入信号而生成驱动信号，并将该驱动信号赋予控制端子，从而驱动半导体元件。二极管的阴极与第1电极连接。电容元件的一侧的端子与二极管的阴极连接，另一侧的端子与第2电极连接。充电电路部在输入信号是接通信号的情况下，在电容元件的电压与饱和电压一致的定时之后，使电容元件处于能够高速充电的状态。切断电路部在电容元件的电压达到阈值之后，将由驱动电路部进行的向控制端子的驱动信号的供给切断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118783935A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410385703.4
申请日：2024-04-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/081 , H03K17/567
Abstract: 本发明的目在于提供通过小规模的结构抑制消耗电力，并且对功率半导体元件发生短路时的浪涌电压进行抑制的驱动电路。栅极驱动器IC(101)具有：多个开关元件，它们对IGBT(201)进行驱动；比较器(31)，其在连接于IGBT(201)的发射极端子和接地之间的分流电阻(202)的电位大于或等于Vth1的情况下输出警报信号；延迟电路(33)，其在警报信号开始输出后输出触发信号；以及控制部(34)，其对多个开关元件的接通及断开进行控制。上桥臂的开关元件包含与同一电压源(51)连接的PMOS(11、12)。下桥臂的开关元件包含NMOS(21、22)。如果输出了警报信号，则控制部(34)将PMOS(12)设为断开，如果输出了触发信号，则控制部(34)将NMOS(22)设为接通。
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公开(公告)号：CN116073640A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211332743.X
申请日：2022-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够将安装面积设得小，降低成本的半导体装置。N侧驱动电路(DCN1、DCN2、DCN3)及P侧驱动电路(DCP1、DCP2、DCP3)分别对以构成半桥的方式连接的P侧开关元件(SP1、SP2、SP3)及N侧开关元件(SN1、SN2、SN3)进行驱动。N侧电源生成电路(PGN1、PGN2、PGN3)从P侧开关元件(SP1、SP2、SP3)的电源电压生成N侧驱动电路(DCN1、DCN2、DCN3)的电源电压。
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公开(公告)号：CN112994673A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011430081.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及半导体装置。检测电路(110)具有在由驱动电路(150)进行通断的开关元件(10a)的正电极以及负电极之间经由第1节点(N1)而串联连接的电流源(120)以及电阻元件(121)。电压比较器(130)输出表示被输入进来的直流电压(Vt)与第1节点(N1)的电压之间的比较结果的检测信号(Sab)。直流电压(Vt)以及电阻元件(121)的电阻值(R1)被设定为，在正电极以及负电极之间的电极间电压比预先确定的判定电压高时，第1节点的电压比直流电压(Vt)高。检测电路(110)以及电压比较器(130)搭载于构成半导体装置(100A)的相同的集成电路之上。
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公开(公告)号：CN107548202A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710508382.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H05B33/08
Abstract: 对应于电压而对在由电流驱动的负载中流过的电流线性地进行控制。本发明所涉及的电压电流变换电路(VC1)具有：差动放大电路(OP2)、第1电流反射镜电路(CM1)、电压设定部(VS1)。差动放大电路(OP2)从输入端子(Pin)接收输入电压(Vout)，输出与输入电压(Vout)和阈值电压之差相对应的电压。第1电流反射镜电路(CM1)接收来自差动放大电路(OP2)的电压，将输出电流(Iout1)输出至输出端子(Pout)。电压设定部(VS1)对阈值电压进行设定。
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公开(公告)号：CN104937839B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201380071275.8
申请日：2013-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H02H3/08 , H03F1/52 , H03F3/217 , H03K17/0822
Abstract: 提供在发生短路时能够快速地进行半导体元件保护的半导体元件的驱动装置以及半导体装置。半导体元件的驱动装置具有驱动电路部、充电电路部及切断电路部。充电电路部与具有二极管以及电容元件的外部电路电连接。半导体元件具有第1电极、第2电极以及控制端子。驱动电路部根据输入信号而生成驱动信号，并将该驱动信号赋予控制端子，从而驱动半导体元件。二极管的阴极与第1电极连接。电容元件的一侧的端子与二极管的阴极连接，另一侧的端子与第2电极连接。充电电路部在输入信号是接通信号的情况下，在电容元件的电压与饱和电压一致的定时之后，使电容元件处于能够高速充电的状态。切断电路部在电容元件的电压达到阈值之后，将由驱动电路部进行的向控制端子的驱动信号的供给切断。
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