公开(公告)号：CN111886680B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201880090891.0

申请日：2018-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  菅原胜俊 ,  福井峪 ,  八田英之 ,  宫田祐辅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 漂移层由碳化硅构成，具有第1导电型。主体区域在漂移层上设置，具有第2导电型。源区域在主体区域上设置，具有第1导电型。栅绝缘膜设置于将源区域和主体区域贯通的至少一个沟槽的各自的内壁。保护层至少具有位于沟槽的下方的部分，与漂移层接触，具有第2导电型。就第1低电阻层而言，与沟槽及保护层接触，在深度方向上跨越沟槽与保护层之间的边界部，具有第1导电型，具有比漂移层高的杂质浓度。就第2低电阻层而言，与第1低电阻层接触，远离沟槽，具有第1导电型，具有比第1低电阻层高的杂质浓度。

公开(公告)号：CN111886680A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201880090891.0

申请日：2018-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  菅原胜俊 ,  福井峪 ,  八田英之 ,  宫田祐辅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 漂移层(2)由碳化硅构成，具有第1导电型。主体区域(5)在漂移层(2)上设置，具有第2导电型。源区域(3)在主体区域(5)上设置，具有第1导电型。栅绝缘膜(10)设置于将源区域(3)和主体区域(5)贯通的至少一个沟槽(6)的各自的内壁。保护层(7)至少具有位于沟槽(6)的下方的部分，与漂移层(2)接触，具有第2导电型。就第1低电阻层(8)而言，与沟槽(6)及保护层(7)接触，在深度方向上跨越沟槽(6)与保护层(7)之间的边界部(BD)，具有第1导电型，具有比漂移层(2)高的杂质浓度。就第2低电阻层(9)而言，与第1低电阻层(8)接触，远离沟槽(6)，具有第1导电型，具有比第1低电阻层(8)高的杂质浓度。