公开(公告)号：CN112997284A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201880099193.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次 ,  田村嘉男

IPC: H01L21/52

Abstract: 接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：Sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的P的Cu合金粒子、和Ag粒子，所述Cu合金粒子用Cu6Sn5层被覆，所述Ag粒子用Ag3Sn层被覆，所述Cu合金粒子与所述Ag粒子经由Cu10Sn3相至少部分地结合，相对于所述接合结构体，所述Cu合金粒子和所述Ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，所述Ag粒子的添加量与所述Cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。

公开(公告)号：CN112997284B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN201880099193.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次 ,  田村嘉男

IPC: H01L21/52

Abstract: 接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：Sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的P的Cu合金粒子、和Ag粒子，所述Cu合金粒子用Cu6Sn5层被覆，所述Ag粒子用Ag3Sn层被覆，所述Cu合金粒子与所述Ag粒子经由Cu10Sn3相至少部分地结合，相对于所述接合结构体，所述Cu合金粒子和所述Ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，所述Ag粒子的添加量与所述Cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。

公开(公告)号：CN116368584A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202080106644.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩崎亮人 ,  吉冈志菜 ,  田村嘉男 ,  度会明

IPC: H01F1/057

Abstract: 稀土烧结磁铁(1)具备：多个主相(2)，其至少含有Nd作为稀土元素R且具有R2Fe14B结晶结构；和晶界相(3)，其形成在主相(2)之间。晶界相(3)具有：具有在结晶性的NdO相中Sm进行置换、Sm富集的Sm富集部(4)；和重稀土元素RH在Sm富集部(4)的外围的至少一部分富集的重稀土元素RH富集部(5)的晶界相(3)。由此，能够在抑制磁特性的降低的同时使重稀土元素RH进一步扩散到稀土烧结磁铁(1)的内部。