半导体激光光源
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105659448B

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201480058124.3

    申请日:2014-06-25

    Inventor: 渡部裕之

    Abstract: 现有的半导体激光光源存在在生产工序中由于要改变发光体的波导的间隔、或控制施加于激光器阵列的芯片的应力,因此生产率降低的问题。搭载有半导体激光器阵列(2)的散热装置(3a)的形状构成为,多个半导体激光器中的带的宽度方向上的中央侧的区域与除此以外的区域中的散热效率不同,其中,所述半导体激光器阵列(2)由多个半导体激光器的带在所述带的宽度方向上等间隔地排列而成。具体而言,形成为如下结构:当换算成每个半导体激光器对应的面积时,散热装置的第2面中的第2区域的面积比在多个半导体激光器中的带的宽度方向上除中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的第2面中的第4区域的面积小。

    半导体光源装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103517511B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310218361.9

    申请日:2013-06-04

    Abstract: 本发明提供一种半导体光源装置,其使用多个半导体发光元件,将各半导体发光元件的发光波长和光量保持恒定。半导体光源装置(100)具有输出各色光的多个半导体发光元件(6R、6G、6B)、将半导体发光元件(6R、6G、6B)的输出光合成并进行输出的投影仪(9)以及运算部(2)。运算部(2)控制提供给半导体发光元件(6R、6G、6B)的驱动电流(If),使得光传感器(8R、8G、8B)的检测光量(Le)接近预定的目标光量(Li),并且计算半导体发光元件(6R、6G、6B)的目标温度(Tthi),控制调温部(5R、5G、5B),使得温度传感器(7R、7G、7B)的检测温度(Tth)接近目标温度(Tthi)。

    半导体激光光源
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105659448A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201480058124.3

    申请日:2014-06-25

    Inventor: 渡部裕之

    Abstract: 现有的半导体激光光源存在生产工序中由于要改变发光体的波导的间隔、或控制施加于激光器阵列的芯片的应力,因此生产率降低的问题。搭载有半导体激光器阵列(2)的散热装置(3a)的形状构成为,多个半导体激光器中的带的宽度方向上的中央侧的区域与除此以外的区域中的散热效率不同,其中,所述半导体激光器阵列(2)由多个半导体激光器的带在所述带的宽度方向上等间隔地排列而成。具体而言,形成为如下结构:当换算成每个半导体激光器对应的面积时,散热装置的第2面中的第2区域的面积比在多个半导体激光器中的带的宽度方向上除中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的第2面中的第4区域的面积小。

    半导体光源装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103517511A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310218361.9

    申请日:2013-06-04

    Abstract: 本发明提供一种半导体光源装置,其使用多个半导体发光元件,将各半导体发光元件的发光波长和光量保持恒定。半导体光源装置(100)具有输出各色光的多个半导体发光元件(6R、6G、6B)、将半导体发光元件(6R、6G、6B)的输出光合成并进行输出的投影仪(9)以及运算部(2)。运算部(2)控制提供给半导体发光元件(6R、6G、6B)的驱动电流(If),使得光传感器(8R、8G、8B)的检测光量(Le)接近预定的目标光量(Li),并且计算半导体发光元件(6R、6G、6B)的目标温度(Tthi),控制调温部(5R、5G、5B),使得温度传感器(7R、7G、7B)的检测温度(Tth)接近目标温度(Tthi)。

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