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发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117957649A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202180102301.3

申请日：2021-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野佑树 , 河内洋二

IPC: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1000)具有：绝缘基板(2)，其具有电路图案(21、23)；多个半导体元件(4)，它们经由第一接合部(2a)而接合至电路图案(21、23)之上；以及引线电极(8)，其经由第二接合部(4a)而接合有多个半导体元件(4)的每一者，引线电极(8)由跨至少1个半导体元件(4)的多个引线电极片(81、82、83)构成，多个引线电极片(81、82、83)分别经由第三接合部(8a)而接合。由此，引线电极片(81、82、83)能够追随绝缘基板(2)的翘曲而移动，因此能够充分地确保半导体元件(4)与引线电极(8)之间的接合面积。

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