公开(公告)号：CN1222099C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01137540.X

申请日：2001-10-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 霍斯特·格里宁 ,  土谷多一郎 ,  沟畑文雄 ,  高尾健志

IPC: H02M1/06

CPC classification number: H02M1/08 ,  H03K17/0403 ,  H03K17/08124 ,  H03K17/732

Abstract: 一种栅极驱动器，它是通过在接通命令信号存在期间将栅极电流供给闸流晶体管的栅极，驱动有阳极、阴极和栅极的上述闸流晶体管的栅极驱动器，它备有响应上述命令信号的前沿产生接通脉冲的接通脉冲发生器，上述开始脉冲后立即产生下降斜率电流的下变换器，和具有从上述下变换器向上述闸流晶体管的栅极供给电流，与上述闸流晶体管的栅极连接的MOSFET的限流器，上述电流限制器在上述闸流晶体管的栅极上对栅极电压进行监视，对应于上述栅电压的负电压增大使上述MOSFET的内部电阻增大。

公开(公告)号：CN1371159A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01137540.X

申请日：2001-10-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 霍斯特·格里宁 ,  土谷多一郎 ,  沟畑文雄 ,  高尾健志

IPC: H02M1/06

CPC classification number: H02M1/08 ,  H03K17/0403 ,  H03K17/08124 ,  H03K17/732

Abstract: 一种栅极驱动器,它是通过在接通命令信号存在期间将栅极电流供给闸流晶体管的栅极,驱动有阳极、阴极和栅极的上述闸流晶体管的栅极驱动器,它备有响应上述命令信号的前沿产生接通脉冲的接通脉冲发生器,上述开始脉冲后立即产生下降斜率电流的下变换器,和具有从上述下变换器向上述闸流晶体管的栅极供给电流,与上述闸流晶体管的栅极连接的MOSFET的限流器,上述电流限制器在上述闸流晶体管的栅极上对栅极电压进行监视,对应于上述栅电压的负电压增大使上述MOSFET的内部电阻增大。

公开(公告)号：CN1121722C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN98105571.0

申请日：1998-03-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 赤松昌彦 ,  沟畑文雄 ,  别所三树生

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L25/165 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 由于反偏置驱动电路的部件被配置在高温的电力半导体晶片的封装中，所以增加了反偏置开关的压降同时其导电能力也降低。为解决这一问题，本发明的电力半导体开关装置具有安装了反偏置驱动电路20的安装底板110，安装底板110具有贯通GTO元件11的2个主电极的一方的贯通孔，由此，平面封装靠近贯通孔设置而且贯通孔的周边部分地包围住平面封装，另外，安装底板110还具有和GTO元件11的控制电极电连接的接触部分。

公开(公告)号：CN1202735A

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN98105571.0

申请日：1998-03-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 赤松昌彦 ,  沟畑文雄 ,  别所三树生

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L25/165 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 由于反偏置驱动电路的部件被配置在高温的电力半导体晶片的封装中,所以增加了反偏置开关的压降同时其导电能力也降低。为解决这一问题,本发明的电力半导体开关装置具有安装了反偏置驱动电路20的安装底板110,安装底板110具有贯通GTO元件11的2个主电极的一方的贯通孔,由此,平面封装靠近贯通孔设置而且贯通孔的周边部分地包围住平面封装,另外,安装底板110还具有和GTO元件11的控制电极电连接的接触部分。