电力半导体开关装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1121722C

    公开(公告)日:2003-09-17

    申请号:CN98105571.0

    申请日:1998-03-13

    Abstract: 由于反偏置驱动电路的部件被配置在高温的电力半导体晶片的封装中,所以增加了反偏置开关的压降同时其导电能力也降低。为解决这一问题,本发明的电力半导体开关装置具有安装了反偏置驱动电路20的安装底板110,安装底板110具有贯通GTO元件11的2个主电极的一方的贯通孔,由此,平面封装靠近贯通孔设置而且贯通孔的周边部分地包围住平面封装,另外,安装底板110还具有和GTO元件11的控制电极电连接的接触部分。

    电力半导体开关装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1202735A

    公开(公告)日:1998-12-23

    申请号:CN98105571.0

    申请日:1998-03-13

    Abstract: 由于反偏置驱动电路的部件被配置在高温的电力半导体晶片的封装中,所以增加了反偏置开关的压降同时其导电能力也降低。为解决这一问题,本发明的电力半导体开关装置具有安装了反偏置驱动电路20的安装底板110,安装底板110具有贯通GTO元件11的2个主电极的一方的贯通孔,由此,平面封装靠近贯通孔设置而且贯通孔的周边部分地包围住平面封装,另外,安装底板110还具有和GTO元件11的控制电极电连接的接触部分。

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