公开(公告)号：CN101089710B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200710110027.6

申请日：2007-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  平川诚 ,  津田久美

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明的目的在于得到一种可防止显示特性的退化的半透过型液晶显示装置。本发明的半透过型液晶显示装置是一种由TFT阵列基板和具有对置电极(28)的对置基板夹持液晶层(29)的显示装置。TFT阵列基板具备：栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT。还具有：覆盖栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT并至少在一部分上具有凹凸形状(16)的第1层间绝缘膜(15)。还在第1层间绝缘膜(15)的凹凸形状(16)上具备：反射膜(17)和以覆盖反射膜(17)的方式形成的第2层间绝缘膜(19)，第2层间绝缘膜(19)与第1层间绝缘膜(15)的材料相同。而且，设置有像素电极(23)，该像素电极(23)形成在第2层间绝缘膜(19)的配置有反射膜(17)的区域上，并与TFT进行电连接。

公开(公告)号：CN1987628A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610171144.9

申请日：2006-12-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 荒木利夫 ,  平川诚 ,  中村智树

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示元件，提供一种解决以下全部问题的结构：即场序液晶显示元件，在形成像素区域的液晶层厚度小的结构的情况下，在现有的方法中难以将处于基板间的密封材料良好地硬化形成。虽然在像素区域内设置液晶层厚度调节膜可以解决，但对向电极和遮光膜的层叠结构受到阻碍，产生由对向电极的电阻增大而造成的显示不良。因此本发明为在像素区域内前基板(23)的内面上设置遮光膜(19)，并以覆盖该遮光膜的方式设置液晶层厚度调节膜(3)，在其上层设置由ITO膜(4)构成的对向电极，经由设置于液晶层厚度调节膜(3)上的接触孔(7)将ITO膜(4)和遮光膜(19)连接。

公开(公告)号：CN101089710A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710110027.6

申请日：2007-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  平川诚 ,  津田久美

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明的目的在于得到一种可防止显示特性的退化的半透过型液晶显示装置。本发明的半透过型液晶显示装置是一种由TFT阵列基板和具有对置电极(28)的对置基板夹持液晶层(29)的显示装置。TFT阵列基板具备：栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT。还具有：覆盖栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT并至少在一部分上具有凹凸形状(16)的第1层间绝缘膜(15)。还在第1层间绝缘膜(15)的凹凸形状(16)上具备：反射膜(17)和以覆盖反射膜(17)的方式形成的第2层间绝缘膜(19)。而且，设置有像素电极(23)，该像素电极(23)形成在第2层间绝缘膜(19)的配置有反射膜(17)的区域上，并与TFT进行电连接。