半导体激光器元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111903021A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201880091705.5

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 台面(34)具有谐振器和第2导电型接触层(24)。在台面(34)的两侧形成有槽(32)。由包含谐振器的端面在内的台面(34)的侧面和第1导电型接触层(12)形成有L字形状(50)。槽(32)和L字形状(50)的上表面都由第1导电型接触层(12)构成。槽(32)的侧面由底面(46)附近的倾斜面(38)和其上的侧面(42)构成。L字形状(50)的侧面由底面(48)附近的倾斜面(40)和其上的侧面(44)构成。具有在槽(32)的底面(46)与第1导电型接触层(12)连接的第1电极(28)。具有在台面(34)的上方与第2导电型接触层(24)连接的第2电极(30)。

    半导体激光器元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111903021B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN201880091705.5

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 台面(34)具有谐振器和第2导电型接触层(24)。在台面(34)的两侧形成有槽(32)。由包含谐振器的端面在内的台面(34)的侧面和第1导电型接触层(12)形成有L字形状(50)。槽(32)和L字形状(50)的上表面都由第1导电型接触层(12)构成。槽(32)的侧面由底面(46)附近的倾斜面(38)和其上的侧面(42)构成。L字形状(50)的侧面由底面(48)附近的倾斜面(40)和其上的侧面(44)构成。具有在槽(32)的底面(46)与第1导电型接触层(12)连接的第1电极(28)。具有在台面(34)的上方与第2导电型接触层(24)连接的第2电极(30)。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115210976B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202080089383.8

    申请日:2020-03-16

    Abstract: 在半导体基板(10)上形成有层叠体(22)。在层叠体(22)形成有两个以上的槽(54)。形成有在两侧配置有两个以上的槽(54)中的两个的台面(24)。在两个以上的槽(54)填埋有绝缘性树脂膜(30)。在填埋于两个以上的槽(54)中的一个的绝缘性树脂膜(30)形成有第一开口部(32),形成有从底面(36)向上方引出的电极(46)。绝缘性树脂膜(30)的第一侧面(34)具有正锥形方向的倾斜。

    定向耦合器及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119301490A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202280089980.X

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 在光功率转换部中,第一及第二光波导(2c、3c)的间隔为光的波长以下。第一及第二光波导(2c、3c)分别是具有在半导体基板(1)之上依次形成的下部包层(5)、芯层(6a、6b)以及上部包层(7a、7b)的高台面构造。第一光波导(2c)和第二光波导(3c)具有不同的宽度。在光功率转换部的第一及第二光波导(2c、3c)的芯层(6a、6b)之间,在下部包层(5)之上形成有间隙芯层(6c)。考虑了光向高度方向漏出时的间隙芯层(6c)的等效折射率比第一及第二光波导(2c、3c)的芯层(6a、6b)的等效折射率低。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115210976A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202080089383.8

    申请日:2020-03-16

    Abstract: 在半导体基板(10)上形成有层叠体(22)。在层叠体(22)形成有两个以上的槽(54)。形成有在两侧配置有两个以上的槽(54)中的两个的台面(24)。在两个以上的槽(54)填埋有绝缘性树脂膜(30)。在填埋于两个以上的槽(54)中的一个的绝缘性树脂膜(30)形成有第一开口部(32),形成有从底面(36)向上方引出的电极(46)。绝缘性树脂膜(30)的第一侧面(34)具有正锥形方向的倾斜。

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