公开(公告)号：CN113875018B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201980096756.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  樽井阳一郎 ,  丹羽弘树 ,  冈部博明 ,  渡边宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。

公开(公告)号：CN113875018A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201980096756.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  樽井阳一郎 ,  丹羽弘树 ,  冈部博明 ,  渡边宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。