公开(公告)号：CN1665034A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510065135.7

申请日：2001-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村勝光 ,  楠茂 ,  中村秀城

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的半导体器件具备具有互相相向的第1主面及第2主面的半导体衬底；以及包含在上述第1主面侧具有绝缘栅结构、而且在上述第1主面与上述第2主面之间流过主电流的绝缘栅型场效应晶体管部的元件，上述元件具有形成在上述第2主面上的杂质激活率为50％以下的杂质扩散层(8)。

公开(公告)号：CN1430793A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN01809999.8

申请日：2001-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村勝光 ,  楠茂 ,  中村秀城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的半导体器件是具有互相相向的第1主面及第2主面的半导体衬底和在第1主面侧具有绝缘栅结构而且在第1主面与第2主面之间流过主电流的功率器件，半导体衬底的厚度(t1)为50μm以上、250μm以下，而且在第1主面上具备实现低导通电压化及高击穿容量的绝缘栅型MOS晶体管结构。由此，能够实现低导通电压化、确保击穿容量、以及降低在高电压侧的开关损耗。

公开(公告)号：CN1418377A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN01806861.8

申请日：2001-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村胜光 ,  楠茂 ,  中村秀城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的半导体装置包括具有夹持p型本体区(2)而互相相向的n型发射区(3)和n－硅衬底(1)及在p型本体区(2)夹持栅绝缘膜(4a)而相向的栅电极(5a)的绝缘栅型场效应晶体管部，还包括稳定化的平板(5b)。该稳定化的平板(5b)由导体或半导体构成，在n－硅衬底(1)上夹持平板用绝缘膜(4、4b)而相向，而且与n－硅衬底(1)之间形成电容。在该稳定化的平板(5b)与n－硅衬底(1)之间形成的稳定化的平板电容比在栅电极(5a)与n－硅衬底(1)之间形成的栅－漏电容大。

公开(公告)号：CN100416858C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510065135.7

申请日：2001-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村勝光 ,  楠茂 ,  中村秀城

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的半导体器件具备具有互相相向的第1主面及第2主面的半导体衬底；以及包含在上述第1主面侧具有绝缘栅结构、而且在上述第1主面与上述第2主面之间流过主电流的绝缘栅型场效应晶体管部的元件，上述元件具有形成在上述第2主面上的杂质激活率为50%以下的杂质扩散层(8)。

公开(公告)号：CN1268003C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN01809999.8

申请日：2001-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村勝光 ,  楠茂 ,  中村秀城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的半导体器件是具有互相相向的第1主面及第2主面的半导体衬底和在第1主面侧具有绝缘栅结构而且在第1主面与第2主面之间流过主电流的功率器件，半导体衬底的厚度(t1)为50μm以上、250μm以下，而且在第1主面上具备实现低导通电压化及高击穿容量的绝缘栅型MOS晶体管结构。由此，能够实现低导通电压化、确保击穿容量、以及降低在高电压侧的开关损耗。

公开(公告)号：CN1187839C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN01806861.8

申请日：2001-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村胜光 ,  楠茂 ,  中村秀城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的半导体装置包括具有夹持p型本体区(2)而互相相向的n型发射区(3)和n-硅衬底(1)及在p型本体区(2)夹持栅绝缘膜(4a)而相向的栅电极(5a)的绝缘栅型场效应晶体管部，还包括稳定化的平板(5b)。该稳定化的平板(5b)由导体或半导体构成，在n-硅衬底(1)上夹持平板用绝缘膜(4、4b)而相向，而且与n-硅衬底(1)之间形成电容。在该稳定化的平板(5b)与n-硅衬底(1)之间形成的稳定化的平板电容比在栅电极(5a)与n-硅衬底(1)之间形成的栅-漏电容大。