公开(公告)号：CN111837218B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980018203.4

申请日：2019-03-05

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 菊永孝裕 ,  堀江宏彰 ,  青山公洋 ,  田岛恒夫

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。

公开(公告)号：CN115667598A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180037959.0

申请日：2021-05-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 青山公洋 ,  水阪哲彦

IPC: D01F2/02 ,  B29B15/10 ,  C08B16/00 ,  B29K105/08

Abstract: 本发明提供一种包含纤维素II型且耐热性得到改善的纤维素纤维、以及纤维增强树脂组合物、纤维素纤维的制造方法和纤维增强树脂组合物的制造方法。本发明的纤维素纤维包含纤维素II型，咪唑鎓盐的含量为1质量％以下。

公开(公告)号：CN106952803B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201610867835.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 青山公洋 ,  田岛恒夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物及半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.05质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水。

公开(公告)号：CN106601598A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610890141.4

申请日：2016-10-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 青山公洋 ,  田岛恒夫

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  B08B3/12 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/044 ,  C11D3/046 ,  C11D3/364 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/0331

Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法，其目的在于，提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.01质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.0001～0.1质量％的锌盐、以及水。

公开(公告)号：CN106601598B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201610890141.4

申请日：2016-10-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 青山公洋 ,  田岛恒夫

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法，其目的在于，提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.01质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.0001～0.1质量％的锌盐、以及水。

公开(公告)号：CN113767142A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080029989.2

申请日：2020-04-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 青山公洋 ,  水阪哲彦 ,  中安康善 ,  后藤康夫

IPC: C08K5/19 ,  C08K5/3445 ,  C08L1/02

Abstract: 本发明提供即使加热，纤维素的分解也不易进展的纤维素溶液(组合物)。提供的纤维素纤维的制造方法用于制造机械强度优异的纤维素纤维。组合物中，相对于所述式(1)表示的化合物，1－甲基咪唑鎓氯盐的浓度以质量基准计为300ppm以下。式(1)中，R为碳原子数2～6的烷基，Me为甲基。

公开(公告)号：CN111837218A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018203.4

申请日：2019-03-05

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 菊永孝裕 ,  堀江宏彰 ,  青山公洋 ,  田岛恒夫

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。

公开(公告)号：CN106952803A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610867835.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 青山公洋 ,  田岛恒夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/36 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物及半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.05质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水。