公开(公告)号：CN100390329C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200480009200.8

申请日：2004-04-02

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  东京电波株式会社

Inventor： 吉冈贤治 ,  米山博 ,  前田克已 ,  新仓郁生 ,  佐藤充 ,  伊藤真隅

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有优异的电导率和高品质的氧化锌(ZnO)单晶。本发明涉及一种氧化锌单晶，该晶体中除锌以外的金属的浓度满足下面的方程：[-cM]/[+cM]≥3，其中M是除锌以外的金属，[-cM]是ZnO晶体的-c区中的M的浓度，且[+cM]是ZnO晶体的+c区中的M的浓度。

公开(公告)号：CN1768165A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009200.8

申请日：2004-04-02

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  东京电波株式会社

Inventor： 吉冈贤治 ,  米山博 ,  前田克已 ,  新仓郁生 ,  佐藤充 ,  伊藤真隅

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有优异的电导率和高品质的氧化锌(ZnO)单晶。本发明涉及一种氧化锌单晶，该晶体中除锌以外的金属的浓度满足下面的方程：[－cM]/[+cM]≥3，其中M是除锌以外的金属，[－cM]是ZnO晶体的－c区中的M的浓度，且[+cM]是ZnO晶体的+c区中的M的浓度。

公开(公告)号：CN101035932A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033478.3

申请日：2005-09-21

Applicant: 东京电波株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 吉冈贤治 ,  米山博 ,  前田克己 ,  新仓郁生 ,  佐藤充 ,  伊藤益美 ,  折户文夫

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明提供作为各种器件用基片有用的高纯度且均匀的六方晶系纤锌矿型单晶。该单晶是通过由柱状的晶种至少在m面上进行结晶生长而得到的用AX(A为正电性元素，X为负电性元素)表示的六方晶系纤锌矿型单晶，其中，正电性元素A以外的金属中，2价金属和3价金属浓度分别为10ppm以下，并且，2价金属和3价金属的浓度不均匀度均为100％以内。