公开(公告)号：CN100390329C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200480009200.8

申请日：2004-04-02

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  东京电波株式会社

Inventor： 吉冈贤治 ,  米山博 ,  前田克已 ,  新仓郁生 ,  佐藤充 ,  伊藤真隅

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有优异的电导率和高品质的氧化锌(ZnO)单晶。本发明涉及一种氧化锌单晶，该晶体中除锌以外的金属的浓度满足下面的方程：[-cM]/[+cM]≥3，其中M是除锌以外的金属，[-cM]是ZnO晶体的-c区中的M的浓度，且[+cM]是ZnO晶体的+c区中的M的浓度。

公开(公告)号：CN1768165A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009200.8

申请日：2004-04-02

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  东京电波株式会社

Inventor： 吉冈贤治 ,  米山博 ,  前田克已 ,  新仓郁生 ,  佐藤充 ,  伊藤真隅

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B7/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有优异的电导率和高品质的氧化锌(ZnO)单晶。本发明涉及一种氧化锌单晶，该晶体中除锌以外的金属的浓度满足下面的方程：[－cM]/[+cM]≥3，其中M是除锌以外的金属，[－cM]是ZnO晶体的－c区中的M的浓度，且[+cM]是ZnO晶体的+c区中的M的浓度。