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公开(公告)号：CN109195688A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032744.3
申请日：2017-05-24
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 京谷智裕
Abstract: 本发明提供一种能够抑制沸石膜组件中的膜元件发生破损的脱水系统及其运转方法。含水有机化合物的脱水系统具备：沸石膜组件，其内部配置有具有沸石膜的1个或2个以上的筒状的膜元件，从所供给的含水有机化合物中分离出水；减压单元，其使上述筒状的膜元件的内侧成为减压状态；以及冷凝器，其藉由配管设置在上述膜组件与上述减压单元之间，将透过了上述筒状的膜元件的水蒸气冷凝成水；该脱水系统具备下述构成(1)和构成(2)中的至少一者。构成(1)：具有将连接上述膜组件与上述冷凝器之间的配管保持在水不发生冷凝的温度的温度保持单元；构成(2)：将连接上述膜组件与上述冷凝器之间的配管从膜组件的透过水出口向着冷凝器朝下配置。
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公开(公告)号：CN113474289A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080015562.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , B24B37/00 , C01B33/141 , C01B33/145 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供一种研磨特性、保存稳定性优异的二氧化硅粒子。本发明涉及一种二氧化硅粒子，当将表面硅烷醇基的含有率设为x质量％、将总体硅烷醇基的含有率设为y质量％时，由(x/y)×100％表示的存在于表面的硅烷醇基的比例为15％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119503820A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411697538.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为#imgabs0#时，满足下述式(1)，y≥4.2(1)，金属杂质含有率为5ppm以下，在pH6.0以上且7.8以下的条件下实施了加压加热处理。
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公开(公告)号：CN118696006A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021709.7
申请日：2023-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/141 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于，提供兼顾对被研磨体优异的研磨速率和损伤抑制，且不易附着于被研磨体的适度硬度的二氧化硅颗粒。本发明涉及一种二氧化硅颗粒，其在使用超高分辨率电子显微镜以亮视场模式拍摄扫描透射型电子图像的图像中，在二氧化硅颗粒的总面积中，二氧化硅颗粒内的白色部分的面积比例为2％～12％。
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公开(公告)号：CN118439623A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521235.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/14 , C01B33/141 , C01B33/145 , B82Y30/00 , H01L21/304 , H01L21/306 , B24B37/00 , G01N24/08 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅粒子及其制造方法、硅烷醇基的测定方法、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。本发明的二氧化硅粒子，当将表面硅烷醇基的含有率设为x质量％、将总体硅烷醇基的含有率设为y质量％时，表面硅烷醇基的含有率x为0.05质量％以上1.4质量％以下，由(x/y)×100％表示的存在于表面的硅烷醇基的比例为1％以上15％以下。
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