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公开(公告)号：CN101939820B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980104326.6
申请日：2009-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0236 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32
Abstract: 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101939820A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104326.6
申请日：2009-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0236 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32
Abstract: 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。
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公开(公告)号：CN301716076S
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201130062152.1
申请日：2011-03-29
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 1.外观设计产品的名称：半导体发光元件用基板材。2.外观设计产品的用途：本产品为一种半导体发光元件用基板材，通过将适宜宽度和厚度的本产品进行剪切，可以得到半导体发光元件。3.外观设计的设计要点：本外观设计的设计要点在于俯视图所示的形状和图案。4.指定的图片或照片：俯视图。5.其它：俯视图的形状和图案四方连续；本产品由透明或透光性材质构成。
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公开(公告)号：CN301716075S
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201130062140.9
申请日：2011-03-29
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 1.外观设计产品的名称：半导体发光元件用基板材。2.外观设计产品的用途：本产品为一种半导体发光元件用基板材，通过将适宜宽度和厚度的本产品进行剪切，可以得到半导体发光元件。3.外观设计的设计要点：本外观设计的设计要点在于俯视图所示的形状和图案。4.指定的图片或照片：俯视图。5.其它：俯视图的形状和图案四方连续；本产品由透明或透光性材质构成。
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