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公开(公告)号：CN101189405B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200680018531.7
申请日：2006-04-17
Applicant: 三洋电机株式会社 , 曙制动器工业株式会社
CPC classification number: B62H5/20 , B60R25/04 , B60R25/2063 , B60R25/24 , B60R25/248 , B60R2325/306 , B62K2202/00 , E05B11/00 , F02N11/087 , F02N15/00 , G07C9/00309 , G07C2009/00603 , G07C2009/00777
Abstract: 一种电子式钥匙系统及使用其的二轮机动车，能提高用于二轮机动车的电子式钥匙的无电池化和安全性。在将电子钥匙插入到钥匙孔的状态下使通信电路(44)动作。对应通信电路(44)产生的频率为f0的电磁场的变化，利用电源电路(74)对在线圈(L2)产生的电动势进行整流并作为电源供给电子钥匙侧电路(40)的各个部分。电子钥匙侧电路(40)从存储部(72)读出识别信息，通过2值/3值转换电路(70)转换成3值数据。对应表示3值数据的二比特数据的各个比特的值，控制晶体管(Tr1、Tr2)导通/截止，通过将线圈(L1)的阻抗三等级地切换，使得线圈(L1、L2)之间的电磁场产生三个等级的变化。通信电路(44)检测该变化，通过3值/2值转换电路(54)进行由3值数据向2值数据的转换，得到原来的识别信息。ECU(56)认证识别信息并在认证成立时起动发动机(62)。
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公开(公告)号：CN101189405A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680018531.7
申请日：2006-04-17
Applicant: 三洋电机株式会社 , 曙制动器工业株式会社
CPC classification number: B62H5/20 , B60R25/04 , B60R25/2063 , B60R25/24 , B60R25/248 , B60R2325/306 , B62K2202/00 , E05B11/00 , F02N11/087 , F02N15/00 , G07C9/00309 , G07C2009/00603 , G07C2009/00777
Abstract: 一种电子式钥匙系统及使用其的二轮机动车，能提高用于二轮机动车的电子式钥匙的无电池化和安全性。在将电子钥匙插入到钥匙孔的状态下使通信电路(44)动作。对应通信电路(44)产生的频率为f0的电磁场的变化，利用电源电路(74)对在线圈(L2)产生的电动势进行整流并作为电源供给电子钥匙侧电路(40)的各个部分。电子钥匙侧电路(40)从存储部(72)读出识别信息，通过2值/3值转换电路(70)转换成3值数据。对应表示3值数据的二比特数据的各个比特的值，控制晶体管(Tr1、Tr2)导通/截止，通过将线圈(L1)的阻抗三等级地切换，使得线圈(L1、L2)之间的电磁场产生三个等级的变化。通信电路(44)检测该变化，通过3值/2值转换电路(54)进行由3值数据向2值数据的转换，得到原来的识别信息。ECU(56)认证识别信息并在认证成立时起动发动机(62)。
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公开(公告)号：CN100416831C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510023006.1
申请日：2005-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/8611
Abstract: 本发明提供一种能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流的半导体装置。在P型半导体基板(31)的表面上形成有N型阱区域(32)，在N型阱区域(32)中，再形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)外的N型阱区域(32)的表面上形成有N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面上，形成有P+型扩散层(35)和N+型扩散层(36)。利用由铝等构成的配线(37)，电连接形成在N型阱区域(32)的表面上的N+型扩散层(34)、和形成在P型阱区域(33)的表面上的P+型扩散层(35)，该配线(37)上连接着阳极电极(38)。N+型扩散层(36)上连接着阴极电极(39)。
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公开(公告)号：CN1783492A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510023006.1
申请日：2005-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/8611
Abstract: 本发明提供一种能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流的半导体装置。在P型半导体基板(31)的表面上形成有N型阱区域(32)，在N型阱区域(32)中，再形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)外的N型阱区域(32)的表面上形成有N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面上，形成有P+型扩散层(35)和N+型扩散层(36)。利用由铝等构成的配线(37)，电连接形成在N型阱区域(32)的表面上的N+型扩散层(34)、和形成在P型阱区域(33)的表面上的P+型扩散层(35)，该配线(37)上连接着阳极电极(38)。N+型扩散层(36)上连接着阴极电极(39)。
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