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公开(公告)号：CN102623893A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110421217.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋光学设计株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，其具备n型氮化物系半导体层和在n型氮化物系半导体层的表面上所形成的n侧电极，其中，该n侧电极包括：具有由Si构成的第一金属层和由Al构成的第二金属层的欧姆电极层；具有在欧姆电极层的与n型氮化物系半导体层的相反侧所形成的且由Au构成的第三金属层的衰减电极层；和在欧姆电极层和衰减电极层之间所形成的势垒层。
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