公开(公告)号：CN1606110B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200410057460.4

申请日：2004-08-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 河田洋平 ,  立园史生 ,  大村诚司 ,  后藤公平

IPC: H01G9/028 ,  H01G9/15 ,  C08G61/12

CPC classification number: H01G9/028 ,  H01G9/042 ,  H01G9/15 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13

Abstract: 一种固体电解电容器，在阳极体(1)的表面上，依次形成了电介质膜(2)、固体电解质层(3)，其特征在于固体电解质层(3)由作为掺杂剂至少含四氢萘磺酸离子与萘磺酸离子的导电性高分子或者含四氢萘磺酸离子与苯磺酸离子的导电性高分子制成。本发明的固体电解电容器，其ESR小而且具有良好的耐热性。

公开(公告)号：CN1612274A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410085069.5

申请日：2004-10-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松崎健一郎 ,  河田洋平 ,  大村诚司 ,  立园史生 ,  平田和义

IPC: H01G9/028 ,  H01G9/15 ,  C08G61/12

CPC classification number: H01G9/028

Abstract: 一种固体电解电容器，是在阳极体(1)表面依次形成电介质被膜(2)、固体电解质层(3)的固体电解电容器，其特征是：所述固体电解质层(3)由作为掺杂剂至少含有氟代烷基萘磺酸离子的导电性高分子构成。其中，作为掺杂剂，还可以含有四氢化萘磺酸离子、萘磺酸离子，或者苯磺酸离子。根据本发明，提供一种ESR小且耐热性良好的固体电解电容器。

公开(公告)号：CN100580832C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200410085069.5

申请日：2004-10-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松崎健一郎 ,  河田洋平 ,  大村诚司 ,  立园史生 ,  平田和义

IPC: H01G9/028 ,  H01G9/15 ,  C08G61/12

CPC classification number: H01G9/028

Abstract: 一种固体电解电容器，是在阳极体(1)表面依次形成电介质被膜(2)、固体电解质层(3)的固体电解电容器，其特征是：所述固体电解质层(3)由作为掺杂剂至少含有氟代烷基萘磺酸离子的导电性高分子构成。其中，作为掺杂剂，还可以含有四氢化萘磺酸离子、萘磺酸离子，或者苯磺酸离子。根据本发明，提供一种ESR小且耐热性良好的固体电解电容器。

公开(公告)号：CN1606110A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410057460.4

申请日：2004-08-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 河田洋平 ,  立园史生 ,  大村诚司 ,  后藤公平

IPC: H01G9/028 ,  H01G9/15 ,  C08G61/12

CPC classification number: H01G9/028 ,  H01G9/042 ,  H01G9/15 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13

Abstract: 一种固体电解电容器，在阳极体(1)的表面上，依次形成了电介质膜(2)、固体电解质层(3)，其特征在于固体电解质层(3)由作为掺杂剂至少含四氢萘磺酸离子与萘磺酸离子的导电性高分子或者含四氢萘磺酸离子与苯磺酸离子的导电性高分子制成。本发明的固体电解电容器，其ESR小而且具有良好的耐热性。

公开(公告)号：CN102651283A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210044920.4

申请日：2012-02-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小松圭一 ,  西村康一 ,  立园史生

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/028

Abstract: 本发明提供一种固体电解电容器，其特征在于：具备阳极、形成于阳极上的电介质层、形成于电介质层上的聚乙烯醇膜和形成于聚乙烯醇膜上的导电性高分子层，聚乙烯醇膜具有交联结构。

公开(公告)号：CN1203412A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN98108821.X

申请日：1998-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 清水良昭 ,  小仓隆 ,  立园史生 ,  奥田裕之 ,  的野直人 ,  楳田胜美

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046

Abstract: 根据本发明的薄膜磁头中,上部磁芯层9由前部第1磁芯层91a和第2磁芯层92构成,前部第1磁芯层91a形成在间隙隔片层6上,至少在载体朝向面附近具有与记录载体上的磁道宽度相同的宽度,第2磁芯层92从载体朝向面经前部第1磁芯层91a的上面扩展至上部绝缘层72的上面,该上部磁芯层9在从载体朝向面扩展到下部绝缘层71的深度端限制面DE的区域,具有比扩展到上部绝缘层72的上面的区域大的膜厚。前部第1磁芯层91a的上面与下部绝缘层71的上面成为同一平面。