公开(公告)号：CN101877281B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010214713.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石川彻 ,  藤田政行 ,  佐野健志 ,  原田学

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/028

Abstract: 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。

公开(公告)号：CN101877281A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010214713.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石川彻 ,  藤田政行 ,  佐野健志 ,  原田学

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/028

Abstract: 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。