-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1618133A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02820839.0
申请日：2002-11-19
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L33/20 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种化合物半导体发光元件，提高光提取效率，仅一次引线接合即可，能实现对位容易的安装，可减少工序地制作芯片。在绝缘性基板(11)的一面层叠形成由应形成活性层(15)的多个半导体薄膜构成的半导体层(4)，在半导体层(4)上面形成一个电极(33)，在绝缘性基板(11)的另一面形成另一个电极(33)。为了露出和另一个电极(33)连接的第一半导体薄膜层(13)，除去第一半导体薄膜层(13)上的半导体膜而形成暴露区域(10)，在该暴露区域(10)设置贯通绝缘性基板(11)和第一半导体薄膜层(13)的贯通孔(2)，通过贯通孔(2)中形成的导电性材料(3)电连接第一半导体薄膜层(13)和另一个电极(33)。
-
公开(公告)号：CN1220278C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
-
公开(公告)号：CN1169036A
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。
-
公开(公告)号：CN100353573C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410043463.2
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
-
公开(公告)号：CN1540775A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410043463.2
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III－V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III－V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.018 seconds)
