公开(公告)号：CN102194428A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110045942.8

申请日：2011-02-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 太胜奎 ,  朴商镇

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G09G3/3659 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及一种具有增大的开口率的显示设备，从该显示设备中去除了激活电平跃变(ALS)线和连接到ALS线的ALS驱动器，并且使用在后端像素区域处的栅极线代替ALS线来获得ALS线的效果。相应地，像素开口率可以被增大，并且外侧黑矩阵的宽度可以被减小。

公开(公告)号：CN102269901A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110058809.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 詹志锋 ,  太胜奎 ,  金德会

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1259 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明提供一种平板显示设备及其制造方法，该平板显示设备具有增加的电容。一种平板显示设备，包括：多个像素区，每个像素区位于栅极线、数据线和公共电压线的交叉区域；薄膜晶体管(TFT)，位于所述栅极线和所述数据线彼此交叉的区域，所述TFT包括栅电极、源电极和漏电极；以及存储电容器，位于所述公共电压线和所述漏电极彼此交叉的区域，所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。

公开(公告)号：CN102270605A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110156802.8

申请日：2011-06-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑震九 ,  金德会 ,  太胜奎 ,  元裕奉 ,  郑盛祐

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种平板显示设备及其制造方法。所述制造平板显示设备的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的半导体层；在所述半导体层上形成栅电极，其中所述栅电极与所述半导体层之间有栅绝缘层，并且利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂；依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，并且通过图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层在离开所述TFT一定距离处形成电容器；形成第二绝缘层，并且形成穿过所述第二绝缘层的接触孔，所述接触孔暴露所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的一部分；并且形成通过所述接触孔分别接触所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN102237372A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110116257.X

申请日：2011-05-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 元裕奉 ,  郑震九 ,  太胜奎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种阵列基底和一种制造该阵列基底的方法，所述阵列基底包括：有源层，包括沟道区；栅电极，设置为与所述沟道区对应；栅极绝缘膜，位于所述有源层和所述栅电极之间。所述栅电极包括透明导电膜和不透明导电膜，所述透明导电膜位于所述沟道区和所述不透明导电膜之间。