公开(公告)号：CN101159440A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163832.5

申请日：2007-09-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安敏植 ,  李彰浩 ,  赵壮赫 ,  张在浚 ,  禹王命 ,  金学善 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H04B1/40 ,  H01P1/15 ,  H04B7/00

CPC classification number: H03K17/693 ,  H03K17/063 ,  H03K17/102 ,  H03K2217/0018 ,  H04B1/48

Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SP4T开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz到1.9GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以利用具有体衬底调节的多堆叠晶体管以从发射路径阻断高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。另一方面，在发射开关中，体衬底调节技术可以应用于保持到天线的高功率传送。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.8GHz)提供31dBm P1dB。另外，根据本发明示例性的实施例可以分别获得900MHz和1.9GHz下的0.9dB和－1.1dB的插入损耗。

公开(公告)号：CN101159440B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710163832.5

申请日：2007-09-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安敏植 ,  李彰浩 ,  赵壮赫 ,  张在浚 ,  禹王命 ,  金学善 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H04B1/40 ,  H01P1/15 ,  H04B7/00

CPC classification number: H03K17/693 ,  H03K17/063 ,  H03K17/102 ,  H03K2217/0018 ,  H04B1/48

Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SP4T开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz到1.9GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以利用具有体衬底调节的多堆叠晶体管以从发射路径阻断高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。另一方面，在发射开关中，体衬底调节技术可以应用于保持到天线的高功率传送。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.8GHz)提供31dBm P1dB。另外，根据本发明示例性的实施例可以分别获得900MHz和1.9GHz下的0.9dB和-1.1dB的插入损耗。