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公开(公告)号：CN101159440A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163832.5
申请日：2007-09-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/063 , H03K17/102 , H03K2217/0018 , H04B1/48
Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SP4T开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz到1.9GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以利用具有体衬底调节的多堆叠晶体管以从发射路径阻断高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。另一方面，在发射开关中，体衬底调节技术可以应用于保持到天线的高功率传送。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.8GHz)提供31dBm P1dB。另外，根据本发明示例性的实施例可以分别获得900MHz和1.9GHz下的0.9dB和－1.1dB的插入损耗。
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公开(公告)号：CN101192695B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710195477.X
申请日：2007-11-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/102 , H03K2217/0018 , H04B1/48
Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SPDT开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz、1.9GH、以及2.1GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以通过体浮动技术利用具有体衬底开关和源极与体连接的多堆叠晶体管，以通过防止设备在OFF状态下的沟道形成来阻断来自发射路径的高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.9GHz和2.1GHz)提供35dBm P 1 dB。另外，根据本发明示例性的实施例可得到对开关的-60dBc的二次谐波和高至28dBm的三次谐波的输入功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208286B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010574347.9
申请日：2010-11-29
CPC classification number: H03J3/20
Abstract: 根据发明的示例性实施例，本发明提供一种高功率可调电容器。可调电容器装置可包括第一电容器、第二电容器、第三电容器以及至少一个开关晶体管，其中，所述第一电容器、第二电容器和第三电容器串联，第二电容器被放置在第一电容器和第三电容器之间；所述至少一个开关晶体管与第二电容器并联。
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公开(公告)号：CN101159440B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710163832.5
申请日：2007-09-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/063 , H03K17/102 , H03K2217/0018 , H04B1/48
Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SP4T开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz到1.9GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以利用具有体衬底调节的多堆叠晶体管以从发射路径阻断高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。另一方面，在发射开关中，体衬底调节技术可以应用于保持到天线的高功率传送。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.8GHz)提供31dBm P1dB。另外，根据本发明示例性的实施例可以分别获得900MHz和1.9GHz下的0.9dB和-1.1dB的插入损耗。
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公开(公告)号：CN102208286A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010574347.9
申请日：2010-11-29
CPC classification number: H03J3/20
Abstract: 根据发明的示例性实施例，本发明提供一种高功率可调电容器。可调电容器装置可包括第一电容器、第二电容器、第三电容器以及至少一个开关晶体管，其中，所述第一电容器、第二电容器和第三电容器串联，第二电容器被放置在第一电容器和第三电容器之间；所述至少一个开关晶体管与第二电容器并联。
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公开(公告)号：CN101192695A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710195477.X
申请日：2007-11-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/102 , H03K2217/0018 , H04B1/48
Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SPDT开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz、1.9GH、以及2.1GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以通过体浮动技术利用具有体衬底开关和源极与体连接的多堆叠晶体管，以通过防止设备在OFF状态下的沟道形成来阻断来自发射路径的高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.9GHz和2.1GHz)提供35dBm P1 dB。另外，根据本发明示例性的实施例可得到对开关的－60dBc的二次谐波和高至28dBm的三次谐波的输入功率。
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公开(公告)号：CN101090280A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710110603.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明涉及提供了一种用于CMOS RF天线开关的系统和方法。该用于CMOS RF天线开关的系统和方法可以包括：天线，其用于在至少一个射频(RF)频带内发送和接收信号；以及发送开关，连接到天线，该发送开关接通时，将相应的第一信号发送到天线，并且在发送开关断开时防止第一信号发送到天线。用于CMOS RF天线开关的系统和方法可以进一步包括接收器开关，连接到天线，当接收器开关接通时形成滤波器，当接收器开关断开时形成谐振电路，其中，滤波器用于接收由天线接收的第二信号，并且谐振电路用于阻止至少第一信号的接收。
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