多层电子组件及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118824732A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410414788.4

    申请日:2024-04-08

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。在所述多层电子组件中,在第一方向上从有效覆盖边界到侧边缘部在第一方向上的端部之中最靠近有效覆盖边界的端部的末端的平均距离被定义为A1,并且在第三方向上从第一主体侧边缘边界到侧边缘部在第三方向上的外表面之中最靠近第一主体侧边缘边界的外表面的平均距离被定义为A2,然后调节A1/A2使其大于1.5且小于2.5。

    多层电容器
    2.
    发明公开
    多层电容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114496562A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110734788.9

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器,所述多层电容器包括:主体,包括堆叠有多个介电层的多层结构,还包括多个内电极,且介电层介于所述多个内电极之间;以及外电极,设置在所述主体的外表面上,并且连接到所述内电极。所述主体还包括有效部和侧边缘部,所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容,所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面。包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸不同于包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸。所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部。

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