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发明公开
多层电子组件和制造多层电子组件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN117352300A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310594442.2

申请日：2023-05-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 尹硕晛 , 田仁浩 , 朴然庭 , 金珍友 , 金美良 , 朴世允

IPC: H01G4/12 , H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和制造多层电子组件的方法。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，并且其中，所述多个介电晶粒包括一个或更多个第一介电晶粒，单个所述第一介电晶粒中的缺陷的长度之和大于等于150nm。

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