公开(公告)号：CN110885685B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201910825559.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金用泰 ,  林廷训 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  田昇敏 ,  全夏英

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN110885685A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910825559.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金用泰 ,  林廷训 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  田昇敏 ,  全夏英

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。