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公开(公告)号：CN115954321A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210973702.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 大邱庆北科学技术院
Inventor： 田昌勳 , 张宰银 , 许秀珍 , 金昭熙 , 张岘瑀 , 崔箕洵
IPC: H01L21/764
Abstract: 提供了一种真空隧穿器件和制造该真空隧穿器件的方法，所述方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。
