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公开(公告)号：CN1606177B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410092115.4
申请日：2004-10-08
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I-V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN100401539C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410100599.2
申请日：2004-11-12
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物基发光装置和制造该装置的方法，该装置包括比氧化铟锡具有更高的功函数的透明导电氧化物制成的透明电极。氮化物基发光装置具有由衬底、n-型复合层、有源层、P-型复合层以及电阻性接触层依次层叠的结构。电阻性接触层作为透明导电氧化物制成的薄膜，具有比氧化铟锡或掺有金属掺杂剂的透明导电氧化物制成的薄膜更高的功函数。因此，带有P-型复合层的电阻性接触特性得到提高，从而确保了优秀的电流-电压特性。此外，透明电极高的光透射率能够增加装置的发射效率。
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公开(公告)号：CN100365835C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410103926.X
申请日：2004-12-23
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0095
Abstract: 提供一种倒装片发光二极管(FCLED)及其制造方法。通过在基片上顺序沉积n型覆层、活性层、p型覆层、和反射层而形成所提供的FCLED。反射层是由添加了溶质元素的银合金形成的。根据所提供的FCLED及其制造方法，提高热稳定性来提高p型覆层的电阻性接触特性，因此当封装所提供的FCLED时提高引线接合效率和产量。另外，由于低特定接触电阻和优良的电流电压特性，提高了所提供的FCLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1677703A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510068540.4
申请日：2005-03-14
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01S5/3211 , H01S5/32341
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的n型覆层、有源层、p型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于30微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对p型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。
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公开(公告)号：CN1638165A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104923.8
申请日：2004-12-24
Abstract: 提供了一种具有层状结构的氮化物LED，其中依次层叠有基底、n－型覆盖层、活性层、p－型覆盖层和多层欧姆接触层及其制备方法。在该氮化物LED中，多层欧姆接触层包括第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层的多层。在该氮化物LED及其制备方法中，关于p－型覆盖层的欧姆接触特性得到了提高，因而表现出好的电流－电压特性。而且，由于透明电极有高的透光性能，因而装置的发光效率得到了提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638161A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN1638155A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410011594.2
申请日：2004-12-21
Abstract: 本发明提供了一种上发射N基发光装置及其制造方法。该装置包括基底、n型覆盖层、活性层、p型覆盖层和多层欧姆接触层，它们被依次地层叠。多层欧姆接触层包括一层或多层层叠结构，每个层叠结构包括改性金属层和透明导电薄膜层，它们被反复层叠在p型覆盖层上。改性金属层由Ag基材料形成。
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公开(公告)号：CN100438092C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410104923.8
申请日：2004-12-24
Abstract: 本发明提供了一种具有层状结构的氮化物LED，其中依次层叠有基底、n-型覆盖层、活性层、p-型覆盖层和多层欧姆接触层，及其制备方法。在该氮化物LED中，多层欧姆接触层包括第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层的多层。在该氮化物LED及其制备方法中，关于p-型覆盖层的欧姆接触特性得到了提高，因而表现出好的电流-电压特性。而且，由于透明电极有高的透光性能，因而装置的发光效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN1619853A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410103818.2
申请日：2004-09-08
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、n－型覆盖层、发光层、p－型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与P－型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装FCLEDS过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1617365A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100599.2
申请日：2004-11-12
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供一种氮化物基发光装置和制造该装置的方法，该装置包括比氧化铟锡具有更高的功函数的透明导电氧化物制成的透明电极。氮化物基发光装置具有由衬底、n－型复合层、活性层、P－型复合层以及电阻性接触层依次层叠的结构。电阻性接触层作为透明导电氧化物制成的薄膜，具有比氧化铟锡或掺有金属掺杂剂的透明导电氧化物制成的薄膜更高的功函数。因此，带有P－型复合层的电阻性接触特性得到提高，从而确保了优秀的电流－电压特性。此外，透明电极高的光透射率能够增加装置的发射效率。
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