公开(公告)号：CN1089369A

公开(公告)日：1994-07-13

申请号：CN93112925.7

申请日：1993-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铁洪 ,  韩牛声

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0755 ,  G03F7/094 ,  G03F7/095

Abstract: 一种形成图的方法，通过使用甲硅烷基化光刻胶膜使工艺简化，保持了多层光刻胶膜工艺所具有的分辨率提高效果，其中在基片上形成第一光刻胶层，并使基片表面部分甲硅烷基化、由此形成甲硅烷基化层。然后在甲硅烷基化层上形成第二光刻胶层，通过设有预定图形的光掩模对其曝光。显影之后形成第二光刻胶图形。随后以第二光刻胶图形作为蚀刻掩模，对甲硅烷基化层深蚀刻，形成甲硅烷基化图形。

公开(公告)号：CN1068442C

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN93112925.7

申请日：1993-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铁洪 ,  韩牛声

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/095

CPC classification number: G03F7/0755 ,  G03F7/094 ,  G03F7/095

Abstract: 一种形成图的方法，通过使用甲硅烷基化光刻胶膜使工艺简化，保持了多层光刻胶膜工艺所具有的分辨率提高效果，其中在基片上形成第一光刻胶层，并使基片表面部分甲硅烷基化、由此形成甲硅烷基化层。然后在甲硅烷基化层上形成第二光刻胶层，通过设有予定图形的光掩模对其曝光。显影之后形成第二光刻胶图形。随后以第二光刻胶图形作为蚀刻掩模，对甲硅烷基化层深蚀刻，形成甲硅烷基化图形。之后氧化甲硅烷基化图形，利用氧化的甲硅烷基化图形蚀刻第一光刻胶层，形成第一光刻胶图形。