公开(公告)号：CN118693114A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410191371.6

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 藤田雅人 ,  金载雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：第一堆叠件，包括第一半导体基底、光电转换区域和浮置扩散区域，第一半导体基底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，光电转换区域位于第一半导体基底中，浮置扩散区域位于第一半导体基底中，浮置扩散区域被配置为存储从光电转换区域传输的电荷；第二堆叠件，包括第二半导体基底和传输栅极，第二半导体基底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，传输栅极穿透第二半导体基底并延伸到第一堆叠件中；以及绝缘层，位于第一堆叠件与第二堆叠件之间。

公开(公告)号：CN118800289A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410433155.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东仁 ,  金载雄 ,  裴昶贤 ,  柳慧承

IPC: G11C11/4063

Abstract: 提供了接收器和半导体存储器装置。该接收器包括：缓冲器，其被配置为通过将接收到的数据信号与参考电压进行比较生成内部数据信号；判定反馈均衡器，其被配置为基于内部数据信号的当前值并基于反馈信号生成采样信号，并且被配置为基于重置控制信号提供采样信号和第一逻辑电平之一作为反馈信号，采样信号对应于内部数据信号的先前值；反序列化器，其被配置为通过将采样信号反序列化生成输出数据；以及重置控制电路，其被配置为基于与数据信号的写操作关联的操作信息生成重置控制信号，并且被配置为将重置控制信号提供至判定反馈均衡器。

公开(公告)号：CN114360607A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111192991.4

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑基彬 ,  梁承俊 ,  金炳喜 ,  徐正旼 ,  金载雄 ,  闵贤圭

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了存储控制器、存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置的操作方法包括：接收第一写入请求；将第一写入请求添加到第一片段；当第一片段的大小大于等于(>＝)参考值时，基于第一片段与多个预分配的流中的每个之间的余弦相似度，在所述多个预分配的流之中选择至少“n”个(例如，至少两个)流；将输入信息应用于机器学习模型，以从所述至少“n”个流之中检测与第一片段相关联的第一顺序流；将第一顺序流的流标识符分配给第一片段；和基于第一顺序流的流标识符，存储包括在第一片段中的写入数据。输入信息包括所述至少n个流中的至少一个的统计信息和第一片段的统计信息。